D320AG-00

汕头华汕电子器件有限公司 NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R 13007 晶体管芯片说明书 █　芯片简介 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：D320AG-00 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：3200×3200µm 2 焊位尺寸：B 极 560× 740µm 2 ；E 极 560× 1080µm 2 电极金属：铝 背面金属：银 典型封装：ＫＳＥ１３００７，ＨＥ１３００７ █　管芯示意图　 　 █ 极限值（Ta=25℃） （封装形式：TO-220） Tstg——贮存温度…………………………………… －55~150℃ Tj——结温………………………………………………… 150℃ 　 PC——集电极功率耗散（ Tc=25 ℃）……………………… 80W VCBO ——集电极—基极电压……………………………… 7 00V VCEO——集电极—发射极电压…………………………… 4 00V VEBO——发射极—基极电压………………………………… 9 V 　 IC——集电极电流（ DC）…………………………………… 8 A 　IC——集电极电流（脉冲）………………………………… 1 2A I　——基极电流…………………………………………………4A B █ 电参数（Ta=25℃） （封装形式：TO-220） 参数符号 BVCEO(sus) IEBO hFE VCE(sat) 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 400 10 5 1 40 30 1 2 3 1.2 1.6 110 4 1.6 3 0.7 单位 V mA 测 试 条 件 集电极— 发射极维持电压 发射极— 基极截止电流 直流电流增益 集电极— 发射极饱和电压 IC=10mA ，IB=0 VEB=9V，IC=0 VCE=5V，IC=2A VCE=5V，IC=5A IC=2A，IB =0.4A IC=5A，IB =1A IC=8A，IB =2A IC=2A，IB =0.4A IC=5A，IB =1A VCB=10V， f=0.1MHz VCE=10V，IC=0.5A VCC=125V，C=5A， I IB1 =-IB2 =1A VBE(sat) Cob fT tON tSTG tF 基极— 发射极饱和电压 共基极输出电容 特征频率 导通时间 载流子贮存时间 下降时间 V V V V V pF MHz µ s µ s µ s