D343AG-00

汕头华汕电子器件有限公司 NPN SILICON TRANSISTOR 13007 晶体管芯片说明书 █ 芯片简介 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：D343AG-00 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：3430×3430µm 2 焊位尺寸：B 极 870×475µm 2；E 极 1080×480µm 2 电极金属：铝 背面金属：银 典型封装：KSE13007，HE13007 █ 管芯示意图 █ 极限值（Ta=25℃） （封装形式：TO-220） Tstg——贮存温度…………………………………… -55~150℃ Tj——结温………………………………………………… 150℃ PC——集电极功率耗散（Tc=25℃）……………………… 80W VCBO——集电极—基极电压……………………………… 700V VCEO——集电极—发射极电压…………………………… 400V VEBO——发射极—基极电压………………………………… 9V IC——集电极电流（DC）…………………………………… 8A IC——集电极电流（脉冲）………………………………… 12A IB——基极电流…………………………………………………4A █ 电参数（Ta=25℃） （封装形式：TO-220） 参数符号 BVCEO(sus) IEBO hFE VCE(sat) 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单 位 400 10 5 1 40 30 1 2 3 1.2 1.6 110 4 1.6 3 0.7 V mA 测 试 条 件 集电极—发射极维持电压 发射极—基极截止电流 直流电流增益 集电极—发射极饱和电压 IC=10mA，IB=0 VEB=9V，IC=0 VCE=5V，IC=2A VCE=5V，IC=5A IC=2A，IB=0.4A IC=5A，IB=1A IC=8A，IB=2A IC=2A，IB=0.4A IC=5A，IB=1A VCB=10V，f=0.1MHz VCE=10V，IC=0.5A VCC=125V，C=5A， I IB1=-IB2=1A VBE(sat) Cob fT tON tSTG tF 基极—发射极饱和电压 共基极输出电容 特征频率 导通时间 载流子贮存时间 下降时间 V v V V V pF MHz µs µs µs