D360AG-00

汕头华汕电子器件有限公司 NPN SILICON TRANSISTOR 5027 晶体管芯片说明书 █ 芯片简介 芯片尺寸：4 英寸（100mm） 芯片代码：D360AG-00 芯片厚度：240±20µm 管芯尺寸：3600×3600µm 2 焊位尺寸：B 极 475×730µm 2；E 极 480×900µm 2 电极金属：铝 背面金属：银 典型封装：KSC5027，HC5027 █ 管芯示意图 █ 极限值（Ta=25℃） （封装形式：TO-220） Tstg——贮存温度…………………………………… -55~150℃ Tj——结温………………………………………………… 150℃ PC——集电极功率耗散（Tc=25℃）……………………… 50W VCBO ——集电极—基极电压…………………………… 1100V VCEO——集电极—发射极电压…………………………… 800V VEBO——发射极—基极电压………………………………… 7V IC——集电极电流（DC）…………………………………… 3A IC——集电极电流（脉冲）………………………………… 10A IB——基极电流………………………………………………1.5A █ 电参数（Ta=25℃） （封装形式：TO-220） 参数符号 BVCEO BVCBO BVEBO IEBO ICBO hFE 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单 位 800 1100 7 10 10 10 8 VCE(sat) VBE(sat) fT 集电极—发射极饱和压降 基极—发射极饱和压降 特征频率 15 2 1.5 V V MHz 40 V V V uA uA 测试条件 IC=5mA，IB=0 IC=1mA，IE=0 IE=1mA，IC=0 VEB=5V，IC=0 VCB=800V，IE=0 VCE=5V，IC=0.2A VCE=5V，IC=1A IC=1.5A，IB=0.3A IC=1.5A，IB=0.3A VCE=10V，IC=0.2A 集电极—发射极击穿电压 集电极—基极击穿电压 发射极—基极击穿电压 发射极—基极截止电流 集电极—基极截止电流 直流电流增益