0
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心
发布
  • 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动
H1015

H1015

  • 厂商:

    HUASHAN

  • 封装:

  • 描述:

    H1015 - PNP SILICON TRANSISTOR - SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD

  • 数据手册
  • 价格&库存
H1015 数据手册
P NP S I L I C O N T RA N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H1015 █ AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER HIGH FREQUENCY OSC █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) T stg —— Storage Temperature ………………………… - 55~150 ℃ T j —— Junction Temperature ………………………………… 150 ℃ PC——Collector Dissipation…………………………………400mW VCBO——Collector-Base Voltage………………………………-50V VCEO——Collector-Emitter Voltage……………………………-50V V EBO —— Emitter-Base Voltage ……………………………… -5V I C ——Collector Current…………………………………… -150mA TO-92 1―Emitter,E 2―Collector, C 3―Base,B █ ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Ta=25℃) Symbol Characteristics Collector Cut-off Current Min Typ Max Unit Test Conditions ICBO IEBO HFE(1) HFE(2) VCE(sat) VBE(sat) BVCBO BVCEO BVEBO fT -100 -100 70 25 700 -0.3 -1.1 -50 -50 -5 80 nA nA VCB=-50V, IE=0 VEB=-5V, IC=0 VCE=-6V, IC=-2mA VCE=-6V, IC=-150mA Emitter Cut-off Current DC Current Gain Collector- Emitter Saturation Voltage Base-Emitter Saturation Voltage Collector-Base Breakdown Voltage Collector-Emitter Breakdown Voltage Emitter-Base Breakdown Voltage Current Gain-Bandwidth Product V V V V V MHz IC=-100mA, IB=-10mA IC=-100mA, IB=-10mA IC=-100μA, IC=-1mA, IE=0 IB=0 IE=-10μA,IC=0 VCE=-10V, IC=-1mA █ hFE Classification O Y 120—240 GR 200—400 BL1 350—510 BL2 480—700 70—140
H1015 价格&库存

很抱歉,暂时无法提供与“H1015”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货

免费人工找货