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H556

H556

  • 厂商:

    HUASHAN

  • 封装:

  • 描述:

    H556 - NPN SILICON TRANSISTOR - SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD

  • 数据手册
  • 价格&库存
H556 数据手册
P N P S I L I C O N T RAN S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H556 █ SWITCHING AND AMPLIFIER █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) T stg —— St orage Te mp era t ure ……… …………… …… - 55~150 ℃ T j —— Junction Te mp erature ……………………… ………… 150 ℃ PC——Collector Dissipation…………………………………500mW VCBO——Collector-Base Voltage………………………………-80V VCEO——Collector-Emitter Voltage……………………………-65V V EBO —— E m itter - Bas e Vo l t a g e …… …………… …………… -5 V I C ——Co lle cto r C u rre n t…………………………………… -100 mA 1―Collector, C 2―Base,B 3―Emitter,E TO-92 █ ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Ta=25℃) Symbol Characteristics Collector Cut-off Current Min Typ Max Unit Test Conditions ICBO HFE VCE(sat1) VCE(sat2) VBE(sat1) VBE(sat2) VBE(ON) -15 110 -90 -250 -0.7 -0.9 -600 -660 150 2 10 -750 800 -300 -650 nA mV mV V V mV MHz dB VCB=-30V, IE=0 VCE=-5V, IC=-2mA IC=-10mA, IB=-0.5mA IC=-100mA, IB=-5mA IC=-10mA, IB=-0.5mA IC=-100mA, IB=-5mA VCE=-5V, IC=-2mA VCE=-5V, IC=-10mA f=100MHz VCE=-5V, IC=-200μA f=1KHz,Rg=2KΩ DC Current Gain Collector- Emitter Saturation Voltage Base-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter On Voltage Current Gain-Bandwidth Product Noise Figure fT NF █ hFE Classification A 110—220 B 200—450 C 420—800

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