H558

PNP SILICON TRANSISTOR Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. 　 █ APPLICATIONS SWITCHING AND AMPLIFIER H558 █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（ Ta=25℃） T stg ——Storage Temperature………………………… -55~150 ℃ T j ——Junction Temperature…………………………………150℃ PC——Collector Dissipation…………………………………500mW VCBO —— Collector-Base Voltage ………………………………-30V VCEO——Collector-Emitter Voltage……………………………-30V VE B O —— Emitter-Base Voltage………………………………-5V IC—— Collector Current ……………………………………-100mA T O-92 1―Collector， C 2―Base， B 3―Emitter ， E █ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Ta=25℃） Symbol　 Characteristics　 Min　 Typ　 Max　 Unit 　 Test Conditions 　 BVCBO BVCEO BVEBO ICBO HFE　 VCE(sat2) Collector-Base Breakdown Voltage Collector-Emitter Breakdown Voltage Emitter-Base Breakdown Voltage Collector Cut-off Current DC Current Gain　 －３０　 －３０　 －５　 　 １１０　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 －１５　 ８００　 Ｖ　 Ｖ　 Ｖ　 　 IC=-100μA, IE=0 IC=-10mA, IB=0　 IE=-100μA，IC=0 VCE=-5V, IC=-2mA　 ｎＡ　 VCB=-30V, IE=0 VCE(sat1)　 Collector- Emitter Saturation Voltage 　 VBE(sat1)　 Base-Emitter Saturation Voltage　 VBE(sat2) VBE(ON1)　 Base-Emitter On Voltage 　 VBE(ON2) －９０　 －３００　 ｍＶ　 IC=-10mA, IB=-0.5mA　 －２５０　 －６５０　 ｍＶ　 IC=-100mA, IB=-5mA －０．７　 －０．９　 　 　 　 　 Ｖ　 Ｖ　 IC=-10mA, IB=-0.5mA　 IC=-100mA, IB=-5mA －６６０　 －７５０　 ｍＶ　 VCE=-5V, IC=-2mA　 －８００　 ｍＶ　 VCE=-5V, IC=-10mA １５０　 　 ＭＨｚ　 VCE=-5V,IC=-10mA,f=1MHz ６　 ｐＦ　 VCB=-10V, IE=0， f=1MHz fT Cob Current Gain-Bandwidth Product Output Capacitance █ hFE Classification A 110—220 B 200—450 C 420—800 Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. 　 H558