H5610

厂商：
HUASHAN
封装：
描述：
H5610 - PNP SILICON TRANSISTOR - SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD

数据手册：

下载H5610.pdf

立即购买

详情介绍
数据手册
价格&库存

H5610 数据手册

PNP S I L I C O N T RA N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. H5610 █ APPLICATIONS AUDIO AMPLIFICATION █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃） T stg —— Storage Temperature ………………………… - 55~150 ℃ T j —— Junction Temperature ………………………………… 150 ℃ PC——Collector Dissipation…………………………………750mW VCBO——Collector-Base Voltage………………………………-25V VCEO——Collector-Emitter Voltage……………………………-20V V EBO —— Emitter-Base Voltage ……………………………… -5V I C —— Collector Current …………………………………… -1A TO-92 1―Emitter，E 2―Collector， C 3― Base，B █ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Ta=25℃） Symbol Characteristics Collector-Base Breakdown Voltage Collector-Emitter Breakdown Voltage Emitter-Base Breakdown Voltage Collector Cut-off Current Min Typ Max Unit Test Conditions BVCBO BVCEO BVEBO ICBO HFE VCE(sat) VBE(ON) fT Cob -25 -20 -5 -1 60 -0.2 -0.8 360 38 240 -0.5 1 V V V μA V V MHz pF IC=-10μA, IE=0 IC=-1mA, IB=0 IE=-10μA，IC=0 VCB=-20V, IE=0 VCE=-2V, IC=-500mA IC=-800mA, IB=-80mA VCE=-2V, IC=-500mA VCE=-2V, IC=-500mA VCB=-10V, IE=0， f=1MHz DC Current Gain Collector- Emitter Saturation Voltage Base-Emitter On Voltage Current Gain-Bandwidth Product Output Capacitance █ hFE Classification A 60—120 B 85—170 C 120—240

下载 PDF

H5610

1. 物料型号：PNP硅晶体管H5610。

2. 器件简介：该文档描述的是一个用于音频放大的PNP硅晶体管。

3. 引脚分配：该晶体管具有三个引脚，分别为： - 1号脚：发射极（Emitter, E） - 2号脚：集电极（Collector, C） - 3号脚：基极（Base, B）

4. 参数特性：包括以下绝对最大额定值： - 存储温度（Tstg）：-55℃至150℃ - 结温（Tj）：150℃ - 集电极耗散功率（Pc）：750mW - 集电-基极电压（Vcbo）：-25V - 集电-发射极电压（Vceo）：-20V

5. 功能详解：提供了电气特性表，包括击穿电压、截止电流、直流电流增益、饱和压降、开启电压、电流增益-带宽积和输出电容等参数。

6. 应用信息：主要用于音频放大。

7. 封装信息：晶体管采用TO-92封装。

H5610 价格&库存

-> 查询更多价格&库存

很抱歉，暂时无法提供与“H5610”相匹配的价格&库存，您可以联系我们找货