H733

PNP S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. 　 █ APPLICATIONS The H733 is designed for driver stage of AF amplifier And low speed switching. H733 █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（ Ta=25℃） T stg ——Storage Temperature………………………… -55~150 ℃ T j ——Junction Temperature…………………………………150℃ PC——Collector Dissipation…………………………………250mW VCBO —— Collector-Base Voltage ………………………………-60V VCEO——Collector-Emitter Voltage……………………………-50V VE B O —— Emitter-Base Voltage………………………………-5V IC—— Collector Current ……………………………………-150mA T O-92 1―Emitter ， E 2―Collector， C 3―Base， B █ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Ta=25℃） Symbol　 Characteristics　 Collector-Base Breakdown Voltage Collector-Emitter Breakdown Voltage Emitter-Base Breakdown Voltage Min　 Typ　 Max　 Unit 　 Test Conditions 　 BVCBO BVCEO BVEBO HFE　 VCE(sat)　 VBE(ON) ICBO IEBO fT Cob －６０　 －５０　 －５　 ９０　 　 －０．５　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 １８０　 ４．５　 　 　 　 ６００　 －０．３　 －０．８　 －１００　 Ｖ　 Ｖ　 Ｖ　 　 Ｖ　 Ｖ　 IC=-100μA, IE=0 IC=-10mA, IB=0　 IE=-10μA，IC=0 VCE=-6V, IC=-1mA　 IC=-100mA, IB=-10mA 　 VCE=-6V, IC=-1mA DC Current Gain　 Collector- Emitter Saturation Voltage 　 Base-Emitter On Voltage Collector Cut-off Current Emitter Cut-off Current Current Gain-Bandwidth Product Output Capacitance －１００　 　 ＭＨｚ　 VCE=-6V, IC=-10mA 　 ｐＦ　 VCB=-10V, IE=0， ＭＨｚ f=1 ｎＡ　 VCB=-60V, IE=0 ｎＡ　 VEB=-5V, IC=0 █ hFE Classification R 　 　 　 　 　９０—１８０　 　 　 Q 　　１３５—２７０　　 P 　　　　２００—４００　 　 K 　　　３００—６００