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H772

H772

  • 厂商:

    HUASHAN

  • 封装:

  • 描述:

    H772 - PNP SILICON TRANSISTOR - SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD

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H772 数据手册
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. P NP S I L I C O N T R A N S I S T O R H772 █ APPLICATIONS  Audio Frequency Power Amplifier , Switching Power Amplifier. █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS( Ta=25℃) T stg ——Storage Temperature………………………… -55~150℃ T j ——Junction Temperature……………………………… 150℃   PC——Collector Dissipation(T c=25℃)…………………… 10W PC——Collector Dissipation(T A =25℃)…………………… 1W VCBO —— Collector-Base Voltage ………………………… -40V VCEO —— Collector-Emitter Voltage ……………………… -30V VEBO ——Emitter-Base Voltage…………………………… -5V 1―Emitter , E 2―Collector,C 3―Base, B T O-126ML   IC——Collector Current(DC)……………………………-3A Ib——Base Current (DC)………………………………-0.6A █ ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Ta=25℃) Symbol  Parameter   Collector-Base Cutoff Current  Emitter- Base Cutoff Current Min  Typ  Max  Unit   Test Conditions   ICBO IEBO hFE VCE(sat ) VBE(sat ) Cob fT       60                -1  -1  400  μA  VCB=-30V, IE=0 μA  VEB=-5V, IC=0   V  V  pF  VCE=-2V, IC=-1A IC=-2A, IB=-0.2A IC=-2A, IB=-0.2A VCB=-10V,IE=0,f=1MHz DC Current Gain  Collector- Emitter Saturation Voltage Base -Emitter Saturation V oltage -0.3  -0.5  -1.0  -2.0  55  80      Output Capacitance Current Gain-Bandwidth Product  MHz  VCE=-5V,IE =-0.1A   █ hFE Classification R      60—120       O          Y          G  100—200 160—320 200—400 Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. P NP S I L I C O N T R A N S I S T O R H772           Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. P NP S I L I C O N T R A N S I S T O R HS772

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