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H882

H882

  • 厂商:

    HUASHAN

  • 封装:

  • 描述:

    H882 - NPN SILICON TRANSISTOR - SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD

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H882 数据手册
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R H882 █ APPLICATIONS  Audio Frequency Power Amplifier , Switching Power Amplifier. █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS( Ta=25℃) T stg ——Storage Temperature………………………… -55~150℃ T j ——Junction Temperature……………………………… 150℃   PC——Collector Dissipation(T c=25℃)…………………… 10W PC——Collector Dissipation(T A =25℃)…………………… 1W VCBO —— Collector-Base Voltage ………………………… 40V VCEO —— Collector-Emitter Voltage ……………………… 30V VEBO ——Emitter-Base Voltage…………………………… 5V 1―Emitter , E 2―Collector,C 3―Base, B T O-126ML   IC——Collector Current(DC)……………………………3A Ib——Base Current (DC)………………………………0.6A █ ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Ta=25℃) Symbol  ICBO IEBO hFE VCE (sat) VBE (sat ) Cob Parameter   Collector-Base Cutoff Current  Emitter- Base Cutoff Current Min  Typ  Max  Unit   Test Conditions       60                0.3  1.0  45  90  1  1  400  0.5  2.0      μA  VC B=30V, IE =0 μA  VEB=5V, IC=0 DC Current Gain  Collector- Emitter Saturation Voltage Base -Emitter Saturation V oltage   V  V  VCE =-2V, IC=1A IC=2A, IB=-0.2A IC=2A, IB=0.2A Output Capacitance Current Gain-Bandwidth Product   pF  VCB=10V,IE=0,f=1MHz fT   MHz  VCE =5V,IE=0.1A   █ hFE Classification R      60—120       O          Y          G  100—200 160—320 200—400 Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R H882           Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R H882

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