0
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心
发布
  • 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动
HA06

HA06

  • 厂商:

    HUASHAN

  • 封装:

  • 描述:

    HA06 - NPN SILICON TRANSISTOR - SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD

  • 数据手册
  • 价格&库存
HA06 数据手册
NPN S I L I C O N T RA N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HA06 █ APPLICATIONS General Purpose Amplifier. █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) T stg —— Storage Temperature ………………………… - 55~150 ℃ T j —— Junction Temperature ………………………………… 150 ℃ PC——Collector Dissipation…………………………………625mW VCBO——Collector-Base Voltage ………………………………80V VCEO——Collector-Emitter Voltage……………………………80V V EB O —— Emitter-Base Voltage ……………………………… 4V I C —— Collector Current …………………………………… 500mA TO-92 1―Emitter,E 2―Base,B 3―Collector, C █ ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Ta=25℃) Symbol Characteristics Min Typ Max Uni t Test Conditions BVCEO BVEBO HFE(1) HFE(2) VCE(sat) ICBO ICEO fT Collector-Emitter Breakdown Voltage Emitter-Base Breakdown Voltage DC Current Gain DC Current Gain Collector- Emitter Saturation Voltage Collector Cut-off Current Collector Cut-off Current Current Gain-Bandwidth Product 80 4 50 50 0.25 1.2 100 100 100 V V IC=1mA, IB=0 IE=100μA,IC=0 VCE=1V, IC=10mA VCE=1V, IC=100mA V V nA nA IC=100mA, IB=10mA VCE=1V, IC=100mA VCB=80V, IE=0 VCE=60V, IB=0 VBE(on) Base-Emitter On Voltage MHz VCE=20V,IC=10mA, f=100MHz

很抱歉,暂时无法提供与“HA06”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货

免费人工找货