HA114Y

PNP DIGITAL TRANSISTOR Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. 　 █ APPLICATIONS Switching Circuit， Interface Circuit． HA114Y █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（ Ta=25℃） T stg ——Storage Temperature………………………… -55~150 ℃ T j ——Junction Temperature…………………………………150℃ PC——Collector Dissipation…………………………………300mW VCBO —— Collector-Base Voltage ………………………………-50V VCEO——Collector-Emitter Voltage……………………………-50V VE B O —— Emitter-Base Voltage………………………………-6V IC—— Collector Current ……………………………………-100mA T O-92S 1―Emitter ， E 2―Collector， C 3―Base， B █ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Ta=25℃） Symbol　 Characteristics　 Collector-Base Breakdown Voltage Collector-Emitter Breakdown Voltage Collector Cut-off Current Collector Cut-off Current Min　 Typ　 Max　 Unit 　 Test Conditions 　 BVCBO BVCEO ICBO ICEO IEBO HFE　 －５０　 －５０　 　 　 －６７　 ３０　 　 　 　 　 　 －８８　 　 　 　 －０．１　 －０．５　 －１２５　 　 Ｖ　 Ｖ　 IC=-10μA, IC=-1mA, IE=0 I =0　 B μＡ　 VCB=-40V, IE=0 μＡ　 VCE=-40V, IB=0 μＡ　 VEB=-5V, IC=0 　 Ｖ　 Ｖ　 VCE=-5V, IC=-5mA　 IC=-10mA, IB=-0.5mA　 VCE=-5V, IC=-0.1mA　 Emitter Cut-off Current DC Current Gain　 VCE(sat)　 Collector- Emitter Saturation Voltage 　 ＶＩ（ｏｆｆ） Ｉｎｐｕｔ　Ｏｆｆ　Ｖｏｌｔａｇｅ　 　 ＶＩ（ｏｎ） R1 R1/ R2 fT Cob Ｉｎｐｕｔ　Ｏｎ　Ｖｏｌｔａｇｅ Ｉｎｐｕｔ　Ｒｅｓｉｓｔｏｒ Ｒｅｓｉｓｔｏｒ　Ｒａｔｉｏ Current Gain-Bandwidth Product －０．１　 －０．３　 －０．５　 －０．７　 －０．９　 －１．０　 －２．０　 －４．０　 Ｖ　 VCE=-0.2V, IC=-10mA ７．０　 １０　 １３　 Ｋｏｈｍ　 　 ０．１９３　 ０．２１３　 ０．２３４　 　 　 ２５０　 ５．５　 　 　 　 ＭＨｚ　 VCE=-10V, IC=-5mA ｐＦ　 VCB=-10V, f=1ＭＨｚ Output Capacitance Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. 　 HA114Y