HA42

厂商：
HUASHAN
封装：
描述：
HA42 - NPN SILICON TRANSISTOR - SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD

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HA42 数据手册

N P N S I L I C O N T RAN S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HA42 █ HIGH VOLTAGE TRANSISTOR █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（Ta=25℃） T stg —— St orage Te mp era t ure ……… …………… …… - 55~150 ℃ T j —— Junction Te mp erature ……………………… ………… 150 ℃ PC——Collector Dissipation…………………………………625mW VCBO——Collector-Base Voltage………………………………300V VCEO——Collector-Emitter Voltage……………………………300V V EB O —— Em i tte r - B a se Vo lt age … ……… …… ……… …… … 6V I C —— Collec t or Current ………… … ………… … ………… 500 m A 1―Emitter，E 2―Base，B 3―Collector， C TO-92 █ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Ta=25℃） Symbol Characteristics Collector-Base Breakdown Voltage Collector-Emitter Breakdown Voltage Emitter-Base Breakdown Voltage Collector Cut-off Current Emitter-Base Cut-off Current Collector Cut-off Current Min Typ Max Unit Test Conditions BVCBO BVCEO BVEBO ICBO IEBO ICES HFE（1） HFE（2） HFE（3） VCE(sat1) VCE(sat2) VBE(sat1) 300 300 5 100 100 1 25 40 40 V V V nA nA μA IC=100μA, IE=0 IC=1mA, IB=0 IE=100μA，IC=0 VCB=200V, IE=0 VEB=3V, IC=0 VCE=300V, VBE=0 VCE=10V, IC=1mA VCE=10V, IC=10mA VCE=10V, IC=30mA DC Current Gain Collector- Emitter Saturation Voltage Base-Emitter Saturation Voltage Current Gain-Bandwidth Product 50 0.5 1 0.9 V V V MHz IC=20mA, IB=2mA IC=60mA, IB=6mA IC=20mA, IB=2mA VCE=20V, IC=10mA F=100MHz fT

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HA42

1. 物料型号： - 型号为HA42，是一款高压晶体管。

2. 器件简介： - HA42是一款高压晶体管，具有TO-92封装形式，适用于高电压应用。

3. 引脚分配： - 1号引脚为发射极（Emitter, E） - 2号引脚为基极（Base, B） - 3号引脚为集电极（Collector, C）

4. 参数特性： - 存储温度范围：-55℃至150℃ - 结温范围：150℃ - 集电极耗散功率：625mW - 集电极-基极电压：300V - 发射极-基极电压：6V - 集电极-发射极电压：300V - 集电极电流：500mA

5. 功能详解： - HA42晶体管具有高电压耐受能力，适用于需要高电压和高电流增益的应用场合。

6. 应用信息： - 该晶体管适用于高电压和高电流增益的应用，如开关电源、放大器等。

7. 封装信息： - 封装形式为TO-92，这是一种常见的小功率晶体管封装形式。

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