HB834

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. PNP SILICON TRANSISTOR HB834 █　 APPLICATIONS　 Low Frequency Power Amplifier. █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（ Ta=25℃） T stg ——Storage Temperature………………………… －55~150℃ T j ——Junction Temperature……………………………… 150℃ 　 PC——Collector Dissipation（T c=25℃）…………………… 30W PC——Collector Dissipation（Ta=25℃）……………………1.5W VCBO ——Collector-Base Voltage……………………………-60V VCEO——Collector-Emitter Voltage………………………… -60V VEBO —— Emitter-Base Voltage……………………………… -7V IC——Collector Current……………………………………… -3A Ib——Base Current………………………………………-0.5A T O-220 1―Base， B 2―Collector，C 3―Emitter, E █ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Ta=25℃） Symbol　 Characteristics　 Collector-Emitter Breakdown Voltage Collector Cut-off Current Min　 Typ　 Max　 Unit 　 Test Conditions 　 BVCEO ICBO IEBO －６０　 　 　 ６０　 ２０　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 －０．５　 －０．７　 ９　 １５０　 ０．４　 １．７　 ０．５　 Emitter Cut-off Current HFE（1）　 DC Current Gain　 HFE（2）　 DC Current Gain　 VCE(sat)　 Collector- Emitter Saturation Voltage 　 VBE(on)　 Base-Emitter On Voltage 　 ft Cob tON tSTG tF Current Gain-Bandwidth Product IC=-50mA, I =0　 B －１００　 μＡ　 VCB=-60V, IE=0 －１００　 μＡ　 VEB=-7V, IC=0 ２００　 　 VCE=-5V, IC=-0.5A　 　 －１　 －１　 　 　 　 　 　 　 Ｖ　 Ｖ　 VCE=-5V, IC=-3A　 IC=-3A, IB=-0.3A　 VCE=-5V, IC=-0.5A　 　 Ｖ　 ＭＨｚ　 VCE=-5V, IC=-0.5A, ｐＦ　 VCB=-10V, IE=0， f=1ＭＨｚ μＳ　 μＳ　 μＳ　 IB1 = -IB2 =-0.2A VCC=-30V Output Capacitance Turn-On Time Storage Time Fall Time █ hFE Classification O 　 　 　 　 　 　６０—１２０　 　 　　 　 　 　 Y 　　　１００—２００　 　 　　　　 　 Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. 　 HB834