HB857

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. PNP SILICON TRANSISTOR HB857 █　 APPLICATIONS　 LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（ Ta=25℃） T stg ——Storage Temperature………………………… －55~150℃ T j ——Junction Temperature……………………………… 150℃ 　 PC——Collector Dissipation（T c=25℃）…………………… 40W VCBO ——Collector-Base Voltage……………………………-70V VCEO——Collector-Emitter Voltage………………………… -50V VEBO —— Emitter-Base Voltage……………………………… -5V IC——Collector Current（DC）……………………………… -4A T O-220 1―Base， B 2―Collector，C 3―Emitter, E █ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（ Ta=25℃） Symbol　 Characteristics　 Collector-Base Breakdown Voltage Collector-Emitter Breakdown Voltage Emitter-Base Breakdown Voltage Collector Cut-off Current Min　 Typ　 Max　 Unit 　 Test Conditions 　 BVCBO BVCEO BVEBO ICBO －７０　 －５０　 －５　 　 ６０　 ３５　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 １５　 HFE（1）　 DC Current Gain　 HFE（2）　 DC Current Gain　 VCE(sat)　 Collector- Emitter Saturation Voltage 　 VBE(on)　 Base-Emitter On Voltage 　 ft Current Gain-Bandwidth Product IC=-10μA, IE=0 IC=-50mA, I =0　 B IE=-10μA，IC=0 －１　 μＡ　 VCB=-50V, IE=0 ３２０　 　 VCE=-4V, IC=-1A　 　 　 VCE=-4V, IC=-0.1A　 －１　 －１　 　 Ｖ　 IC=-2A, IB=-0.2A　 Ｖ　 VCE=-4V, IC=-1A　 ＭＨｚ　 VCE=-4V, IC=-0.5A, 　 　 　 Ｖ　 Ｖ　 Ｖ　 █ hFE Classification B 　 　 　 　 　 　 　６０—１２０　 　 C 　　　　１００—２００　 　 D 　　　１６０—３２０