HEP31

NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. 　 █ APPLICATIONS Mediu ｍ Power Linear switching Applications. HEP31 Series （HEP31/HEP31A/HEP31B/HEP31C） █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（ Ta=25℃） T stg ——Storage Temperature………………………… - 55~150 ℃ T j ——Junction Temperature………………………………… 150 ℃ PC——Collector Dissipation Tc=25℃） （ ……………………………40W PC——Collector Dissipation（Ta=25℃）……………………………2W VC BO ——Collector-Base Voltage、 VCEO——Collector-Emitter Voltage HEP31………………………………40V HEP31A……………………………60V HEP31B…………………………… 80V H EP31C………………………… 100V VE B O —— Emitter - Base Voltage……………………………… 5 V IC——Collector Current（DC）………………………………………3A IC——Collector Current（Pulse）……………………………………5A I b —— Base Current ……………………………………………… 1A T O-220AB 1―Base， B 2―Collector， C 3―Emitter ， E █ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Ta=25℃） Symbol　 BVCEO Characteristics　 Collector-Emitter Breakdown Voltage Min　 Typ　 Max　 Unit　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 ０．３　 ０．３　 ２００　 ２００　 ２００　 ２００　 　 ５０　 １．２　 １．８　 １　 　 Ｖ　 Ｖ　 Ｖ　 Ｖ　 ｍＡ　 ｍＡ　 μＡ　 μＡ　 μＡ　 μＡ　 　 　 Ｖ　 Ｖ　 ｍＡ　 ＭＨｚ　 Test Conditions　 IC=30mA, IB=0　 HEP31 ４０　 HEP31A ６０　 HEP31B ８０　 HEP31C １００　 ICEO Collector Cut-off Current HEP31/ HEP31A 　 HEP31B/ HEP31C 　 ICES Collector Cut-off Current HEP31 　 HEP31A 　 HEP31B 　 HEP31C 　 HFE（1）　 *DC Current Gain　 ２５　 HFE（2）　 　 １０　 VCE(sat)　 *Collector- Emitter Saturation Voltage 　 　 VBE(ON) *Base-Emitter On Voltage 　 IEBO Emitter Cut-off Current 　 fT Current Gain-Bandwidth Product ３．０　 VCB=30V, IB=0 VCB=60V, IB=0 VCE=40V, VEB=0 VCE=60V, VEB=0 VCE=80V, VEB=0 VCE=100V, VEB=0 VCE=4V, IC=1A　 VCE=4V, IC=3A　 IC=3A, IB =375mA 　 VCE=4V, IC=3A VEB=5V, IC=0 VCE=10V, IC=500mA ，ｆ＝１ＭＨｚ *Pulse Test：PW≤300μｓ，Ｄｕｔｙ　ｃｙｃｌｅ≤2% NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. 　 HEP31 Series （HEP31/HEP31A/HEP31B/HEP31C）