HFF2N60

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. N-Channel MOSFET HFF2N60 █　 APPLICATIONSL High-Speed Switching. 　 T O-220F █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（ Ta=25℃） T stg ——Storage Temperature……………………………－55~150 ℃ T j ——Operating Junction Temperature …………………………150℃　 PD —— Allowable Power Dissipation（T c=25℃）…………………23W VDSS —— Drain-Source Voltage ………………………………… 600V VGSS —— Gate-Source Voltage …………………………………± 0V 3 ID —— Drain Current T c=25℃） （ ……………………………………2.0A 1―G 2―D 3―S █ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Ta=25℃） Symbol　 Characteristics　 Min　 Typ　 Max　 Unit 　 Test Conditions 　 BVDSS IDSS IGSS VGS(th) RDS(on) gfs Ciss Coss Crss td(on) tr td(off) tf Qg Qgs Qgd Is VSD Drain-Source Breakdown Voltage Zero Gate Voltage Drain Current Gate – Source Leakage Current Gate Threshold Voltage Static Drain-Source On-Resistance Forward Transconductance Input Capacitance Output Capacitance Reverse Transfer Capacitance Turn - On Delay Time Rise Time Turn - Off Delay Time 600 　 　 2.0 　 　 　 　 　 ３．８　 ２．０５　 １８０　 20 4.3 9 25 24 28 8.5 1.3 4.1 　 　 　 １０　 V ID=250μA ,VGS=0V μＡ　 VDS =600V，VGS=0　 ±100　 ｎＡ　 VGS=±30V , VDS = 0V　 4.0 V VDS = VGS , ID =250μ A ５．０　 　 ２３５　 25 3 28 60 58 66 12 Ω　 VGS=10V, ID =1.0A　 S VDS = 40V , ID =1.0A * pF　 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 pF pF nS nS nS nS nC nC nC 　　VDS =25V, VGS=0,f=1ＭＨｚ　 　　　 VDD =300V, ID =2A (峰值)　 RG= 25 Ω　 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　＊　 VDS =480V ＶＧＳ＝１０Ｖ ＩＤ＝２Ａ　　　　　　　　　　　　　　＊ IS =2.0A , VGS=0 Fall Time Total Gate Charge Gate– Source Charge Gate– Drain Charge Continuous Source Current 　 ２．０　 １．４　 ５．５　 Ａ　 Ｖ　 ℃／Ｗ　 Diode Forward Voltage 　 Thermal Resistance， Rth j-c） （ 　 Junction-to-Case *Pulse Test：Pulse Width≤300μs，Duty Cycle ≤2% Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. N-Channel MOSFET HFF2N60 Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. N-Channel MOSFET HFF2N60 Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. N-Channel MOSFET HFF2N60 Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. N-Channel MOSFET HFF2N60