HFP45N06

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. N-Channel MOSFET HFP45N06 █　 APPLICATIONSL Low Voltage high-Speed Switching. 　 T O-220 █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（ Ta=25℃） T stg ——Storage Temperature……………………………－55~175 ℃ T j ——Operating Junction Temperature …………………………150℃　 PD —— Allowable Power Dissipation（T c=25℃）………………131W VDSS —— D rain-Source Voltage … …………………………… 6 0V VGSS —— Gate-Source Voltage …………………………………± 0V 2 ID —— Drain Current T c=25℃） （ ……………………………………45A 1―G 2―D 3―S █ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Ta=25℃） Symbol　 Characteristics　 Min　 Typ　 Max　 Unit 　 Test Conditions 　 BVDSS IDSS IGSS VGS(th) RDS(on) Ciss Coss Crss tON td(on) tr td(off) tf tOFF Qg Qg(10) Qgd Drain-Source Breakdown Voltage Zero Gate Voltage Drain Current Gate – Source Leakage Current Gate Threshold Voltage *Static Drain-Source On-Resistance Input Capacitance Output Capacitance Reverse Transfer Capacitance Turn-On Time Turn - On Delay Time Rise Time Turn - Off Delay Time ６０　 　 　 ２．０　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 ２０５０　 ６００　 ２００　 　 １２　 ７４　 ３７　 １６　 　 １２５　 ６７　 ３．７　 　 　 　 １　 V ID=250μA ,VGS=0V μＡ　 VDS = 6 0V，VGS=0　 ±１００　 ｎＡ　 VGS=±20V , VDS = 0V　 ４．０　 V VDS = VGS , ID =250μ A ０．０２８　 　 　 　 １２０　 　 　 　 　 ８０　 １５０　 ８０　 ４．５　 １．５　 VGS=10V, ID =45A　 pF　 　 pF pF nS nS nS nS nS nS nC nC nC ?　 　　VDS =25V, VGS=0,f=1ＭＨｚ　 　　　 VDD =30V, ID =45A　 RL=0.667Ω, VGS=10V RG= 3.6 Ω　 Fall Time Turn Off Time Total Gate Charge Gate Charge at 10V Threshold Gate Charge ＶＧＳ＝２０Ｖ　　VDS =48V， Ｄ＝４５Ａ Ｉ ＶＧＳ＝１０Ｖ　　　ＲＬ＝1.07Ω ＶＧＳ＝２Ｖ　　　　Ｉｇ（ＲＥＦ）＝１．５ｍＡ ISD =45A VSD Diode Forward Voltage Rth Thermal Resistance， 　 （j-c） Junction-to-Case *Pulse Test：Pulse Width≤300μs，Duty Cycle ≤2% Ｖ　 １．１４　 ℃／Ｗ　 Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. N-Channel MOSFET HFP45N06 Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. N-Channel MOSFET HFP45N06 Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. N-Channel MOSFET HFP45N06 Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. N-Channel MOSFET HFP45N06