HM28S

NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. 　 █ APPLICATIONS General Purpose And Switching Applications. HM28S █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（ Ta=25℃） T stg ——Storage Temperature………………………… -55~150 ℃ T j ——Junction Temperature…………………………………150℃ PC——Collector Dissip ation…………………………………850mW VCBO —— Collector-Base Voltage………………………………40V VCEO —— Collector-Emitter Voltage……………………………20V VE B O —— Emitter -Base Voltage ……………………………… 6V IC——Collector Current ………………………………………1.25A T O-92 1―Emitter ， E 2―Collector， C 3―Base， B █ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Ta=25℃） Symbol　 Characteristics　 Collector-Base Breakdown Voltage Collector-Emitter Breakdown Voltage Emitter-Base Breakdown Voltage Min　 Typ　 Max　 Unit 　 Test Conditions 　 BVCBO BVCEO BVEBO HFE(1)　 HFE(2)　 HFE(3)　 HFE(4)　 VCE(sat)　 VBE(sat) ICBO IEBO ICES ４０　 ２０　 ６　 ３００　 ３００　 ３１０　 ３０３　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 １０００　 　 　 ０．５５　 １．２　 １００　 １００　 １００　 Ｖ　 Ｖ　 Ｖ　 　 　 　 　 Ｖ　 Ｖ　 IC=100μA,IE=0 IC=1mA,IB=0　 IE=100μA，IC=0 VCE=1V, IC=1mA　 VCE=1V, IC=100mA　 VCE=1V, IC=300mA　 VCE=1V, IC=500mA　 IC=600mA, IB=20mA 　 IC=600mA, IB=20mA DC Current Gain　 DC Current Gain　 DC Current Gain　 DC Current Gain　 Collector- Emitter Saturation Voltage 　 Base-Emitter Saturation Voltage Collector Cut-off Current Emitter Cut-off Current Collector Cut-off Current ｎＡ　 VCB=35V, IE=0 ｎＡ　 VEB=6V, IC=0 ｎＡ　 VCE=20V, VEB=0 █ hFE Classification B 　 　 　　 　 ３００—６００　　　　 　 C 　　　　　５００—８００　　　　　　 　 D ７００—１０００