HP142TSW

厂商：
HUASHAN
封装：
描述：
HP142TSW - NPN SILICON TRANSISTOR - SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD

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Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. NPN DARLINGTON TRANSISTOR HP142TSW █　 APPLICATIONS　 High DC Current Gain █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（ Ta=25℃） T stg ——Storage Temperature………………………… －55~150℃ T j ——Junction Temperature……………………………… 150℃ 　 PC——Collector Dissipation（T c=25℃）…………………… 70W VCBO ——Collector-Base Voltage…………………………… 100V VCEO——Collector-Emitter Voltage………………………… 100V VEBO —— Emitter-Base Voltage ……………………………… 5V IC——Collector Current（DC）……………………………… 8A IB——Base Current……………………………………………0.5A T O-263 1―Base， B 2―Collector，C 3―Emitter, E 　 █ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Ta=25℃） Symbol　 Characteristics　 Collector-Emitter Sustaining Voltage Collector Cutoff Current Collector Cutoff Current Emitter-Base Cutoff Current　 Min　 Typ　 Max　 Unit 　 Test Conditions 　 BVCEO(SUS) ICEO ICBO IEBO　 HFE（1）　 HFE（2） VCE(sat1)　 VCE(sat2) VBE(sat )　 VBE(on) tD tR tS tF １００　　　　１０００　１０００　　　　　　　　　　　　　　　　　　　０．１５　０．５５　２．５　２．５　　２　１　２　　　２　３　３．５　３　　　　　Ｖ　ｍＡ　ｍＡ　ｍＡ　　　Ｖ　Ｖ　Ｖ　Ｖ　ｕＳ　ｕＳ　ｕＳ　ｕＳ　 IC=30mA, IB=0　 VCE=50V, IB=0 VCB=100V, IE=0 VEB=5V, IC=0　 VCE=4V, IC=0.5A　 VCE=4V, IC=3A IC=5A, IB =10mA　 IC=10A, IB =40mA IC=10A, IB =40mA　 VCE=4V,IC=10A, 　 Vcc=30V,Ic=5A IB1=20mA IB2=-20mA DC Current Gain　 Collector- Emitter Saturation Voltage 　 Base- Emitter Saturation Voltage 　 Base- Emitter On Voltage Deiay time Rise Time Storage Time Fall Time Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. NPN DARLINGTON TRANSISTOR HP142TSW

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HP142TSW

1. 物料型号：HP142TSW

2. 器件简介：HP142TSW是一款NPN达林顿晶体管，由汕头华山药器件有限公司生产。它具有高直流电流增益。

3. 引脚分配：1—基极(B)，2—集电极(C)，3—发射极(E)

4. 参数特性： - 绝对最大额定值： - 存储温度：-55至150°C - 结温：150°C - 集电极耗散功率(Tc=25°C)：70W - 集电极-基极电压：100V - 集电极-发射极电压：100V - 发射极-基极电压：5V - 基极电流：5A - 电气特性(Ta=25°C)： - 集电极-发射极维持电压(BVCEO(SUS))：100V - 集电极截止电流(ICEO)：2nA - 集电极截止电流(ICBO)：1nA - 发射极-基极截止电流(IEBO)：2nA - 直流电流增益(HFE)：1000(VcE=4V, Ic=0.5A)和1000(VcE=4V, Ic=3A) - 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))：2V(Ic=5A, IB=10mA)和3V(Ic=10A, IB=40mA) - 基极-发射极饱和电压(VBE(sat))：3.5V - 基极-发射极开启电压(VBE(on))：3V - 延迟时间(tD)：0.15μs - 上升时间(tR)：0.55μs - 存储时间(ts)：2.5μs - 下降时间(tF)：2.5μs

5. 功能详解：HP142TSW晶体管具有高直流电流增益，适用于需要高电流增益的应用场合。

6. 应用信息：适用于高直流电流增益的应用。

7. 封装信息：TO-263封装。

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