HP142TSW

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. NPN DARLINGTON TRANSISTOR HP142TSW █　 APPLICATIONS　 High DC Current Gain █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（ Ta=25℃） T stg ——Storage Temperature………………………… －55~150℃ T j ——Junction Temperature……………………………… 150℃ 　 PC——Collector Dissipation（T c=25℃）…………………… 70W VCBO ——Collector-Base Voltage…………………………… 100V VCEO——Collector-Emitter Voltage………………………… 100V VEBO —— Emitter-Base Voltage ……………………………… 5V IC——Collector Current（DC）……………………………… 8A IB——Base Current……………………………………………0.5A T O-263 1―Base， B 2―Collector，C 3―Emitter, E 　 █ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Ta=25℃） Symbol　 Characteristics　 Collector-Emitter Sustaining Voltage Collector Cutoff Current Collector Cutoff Current Emitter-Base Cutoff Current　 Min　 Typ　 Max　 Unit 　 Test Conditions 　 BVCEO(SUS) ICEO ICBO IEBO　 HFE（1）　 HFE（2） VCE(sat1)　 VCE(sat2) VBE(sat )　 VBE(on) tD tR tS tF １００　 　 　 　 １０００　 １０００　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 ０．１５　 ０．５５　 ２．５　 ２．５　 　 ２　 １　 ２　 　 　 ２　 ３　 ３．５　 ３　 　 　 　 　 Ｖ　 ｍＡ　 ｍＡ　 ｍＡ　 　 　 Ｖ　 Ｖ　 Ｖ　 Ｖ　 ｕＳ　 ｕＳ　 ｕＳ　 ｕＳ　 IC=30mA, IB=0　 VCE=50V, IB=0 VCB=100V, IE=0 VEB=5V, IC=0　 VCE=4V, IC=0.5A　 VCE=4V, IC=3A IC=5A, IB =10mA　 IC=10A, IB =40mA IC=10A, IB =40mA　 VCE=4V,IC=10A, 　 Vcc=30V,Ic=5A IB1=20mA IB2=-20mA DC Current Gain　 Collector- Emitter Saturation Voltage 　 Base- Emitter Saturation Voltage 　 Base- Emitter On Voltage Deiay time Rise Time Storage Time Fall Time Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. NPN DARLINGTON TRANSISTOR HP142TSW