HP50

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. NPN S I L I C O N TRANSISTOR HP50 █　 APPLICATIONS　 High Voltage And switching. █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（ Ta=25℃） T stg ——Storage Temperature………………………… －65~150℃ T j ——Junction Temperature……………………………… 150℃ 　 PC——Collector Dissipation（T c=25℃）…………………… 40W VCBO —— Collector-Base Voltage ………………………… 500V VCEO—— Collector-Emitter Voltage……………………… 400V VEBO —— Emitter-Base Voltage……………………………… 5V IC——Collector Current DC） （ ………………………………… 1A IC——Collector Current（Pulse）………………………………2A IB—— Base Current………………………………………… 0.6A T O-220 1―Base， B 2―Collector，C 3―Emitter, E █ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Ta=25℃） Symbol　 Characteristics　 Min　 Typ　 Max　 Unit 　 Test Conditions 　 BVCEO ICEO IEBO　 ICES HFE（2） HFE Collector-Emitter Breakdown Voltage Collector Cut-off Current Emitter-Base Cutoff Current　 ４００　 　 　 　 ２２　 １０　 ２０　 　 　 １０　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 １　 １　 １　 １５０　 　 　 １　 １．５　 　 Ｖ　 IC=30mA, IB=0　 ｍＡ　 VCE=300V, IB=0 ｍＡ　 VEB=5V, IC=0　 ｍＡ　 VCE=500V, VEB=0 　 VCE=10V, IC=0.3A　 　 　 Ｖ　 Ｖ　 VCE=10V, IC=1A VCE=10V, IC=0.2A,f=1ＭＨｚ IC=1A, IB =0.2A　 VCE=10V, IC=1A Collector Cut-off Current HFE（1）　 DC Current Gain　 VCE(sat)　 Collector- Emitter Saturation Voltage 　 VBE(on) fT ＲθＪＣ ＲθＪＡ Base-Emitter On Voltage Current Gain-Bandwidth Product ＭＨｚ　 VCE=10V,IC=0.1A,f=2ＭＨｚ ３．１２５　 ℃／Ｗ　 ６２．５　 ℃／Ｗ　 Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. NPN S I L I C O N TRANSISTOR HP50 Figure 1。 Power derating Figure 2。Switching Time Equivalent Circuit Figure 3。 Turn-On Time Figure 4。 Active Region Safe Operating Area 4 5 Figure 5。 Thermal Response Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. NPN S I L I C O N TRANSISTOR HP50 Figure 6。 Turn-Off Time Figure 7。 Temperature Coefficients Figure 8。Inductive Load Switching Figure 9。 Current Gain DC Figure 10。 On” Voltages “