0
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心
发布
  • 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动
HS772

HS772

  • 厂商:

    HUASHAN

  • 封装:

  • 描述:

    HS772 - PNP SILICON TRANSISTOR - SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD

  • 数据手册
  • 价格&库存
HS772 数据手册
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. P NP S I L I C O N T RA N S I S T O R HS772 █ APPLICATIONS Audio Frequency Power Amplifier , Switching Power Amplifier. █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) Tstg——Storage Temperature………………………… -55~150℃ Tj——Junction Temperature……………………………… 150℃ PC——Collector Dissipation(Tc=25℃)…………………… 10W PC——Collector Dissipation(TA=25℃)…………………… 1W VCBO —— Collector-Base Voltage ………………………… -40V VCEO —— Collector-Emitter Voltage ……………………… -30V VEBO——Emitter-Base Voltage…………………………… -5V IC——Collector Current(DC)……………………………-3A Ib——Base Current (DC)………………………………-0.6A 1―Emitter,E 2―Collector,C 3―Base,B TO-126 █ Electrical Characteristics(Ta=25℃) Symbol ICBO IEBO hFE VCE(sat) VBE(sat) Cob Parameter Collector-Base Cutoff Current Emitter- Base Cutoff Current Min Typ Max Unit μA μA Test Conditions VCB=-30V, IE=0 VEB=-5V, IC=0 VCE=-2V, IC=-1A -1 -1 60 -0.3 -1.0 55 80 400 -0.5 -2.0 DC Current Gain Collector- Emitter Saturation Voltage Base -Emitter Saturation Voltage V V pF IC=-2A, IB=-0.2A IC=-2A, IB=-0.2A VCB=-10V,IE=0,f=1MHz VCE=-5V,IE=-0.1A Output Capacitance Current Gain-Bandwidth Product fT MHz █ hFE Classification R 60—120 Q 100—200 P 160—320 E 200—400 Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. P NP S I L I C O N T RA N S I S T O R HS772 Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. P NP S I L I C O N T RA N S I S T O R HS772
HS772 价格&库存

很抱歉,暂时无法提供与“HS772”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货

免费人工找货