HS772

HS772

  • 厂商:

    HUASHAN

  • 封装:

  • 描述:

    HS772 - PNP SILICON TRANSISTOR - SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD

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  • 数据手册
  • 价格&库存
HS772 数据手册
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. P NP S I L I C O N T RA N S I S T O R HS772 █ APPLICATIONS Audio Frequency Power Amplifier , Switching Power Amplifier. █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) Tstg——Storage Temperature………………………… -55~150℃ Tj——Junction Temperature……………………………… 150℃ PC——Collector Dissipation(Tc=25℃)…………………… 10W PC——Collector Dissipation(TA=25℃)…………………… 1W VCBO —— Collector-Base Voltage ………………………… -40V VCEO —— Collector-Emitter Voltage ……………………… -30V VEBO——Emitter-Base Voltage…………………………… -5V IC——Collector Current(DC)……………………………-3A Ib——Base Current (DC)………………………………-0.6A 1―Emitter,E 2―Collector,C 3―Base,B TO-126 █ Electrical Characteristics(Ta=25℃) Symbol ICBO IEBO hFE VCE(sat) VBE(sat) Cob Parameter Collector-Base Cutoff Current Emitter- Base Cutoff Current Min Typ Max Unit μA μA Test Conditions VCB=-30V, IE=0 VEB=-5V, IC=0 VCE=-2V, IC=-1A -1 -1 60 -0.3 -1.0 55 80 400 -0.5 -2.0 DC Current Gain Collector- Emitter Saturation Voltage Base -Emitter Saturation Voltage V V pF IC=-2A, IB=-0.2A IC=-2A, IB=-0.2A VCB=-10V,IE=0,f=1MHz VCE=-5V,IE=-0.1A Output Capacitance Current Gain-Bandwidth Product fT MHz █ hFE Classification R 60—120 Q 100—200 P 160—320 E 200—400 Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. P NP S I L I C O N T RA N S I S T O R HS772 Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. P NP S I L I C O N T RA N S I S T O R HS772
HS772
1. 物料型号: - 型号为HS772,由汕头华汕电子器件有限公司(Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd.)生产。

2. 器件简介: - HS772是一种音频功率放大器和开关电源放大器用的晶体管。

3. 引脚分配: - 1―Emitter, E(发射极) - 2―Collector, C(集电极) - 3―Base, B(基极)

4. 参数特性: - 绝对最大额定值(Ta=25℃): - 存储温度:-55~150℃ - 结温:150℃ - 集电极耗散(Tc=25℃):10W - 集电极耗散(TA=25℃):1W - 集电极-基极电压:-40V - 集电极-发射极电压:-30V - 发射极-基极电压:-5V - 集电极电流(DC):-3A - 基极电流(DC):-0.6A

5. 功能详解: - 电气特性(Ta=25℃): - 集电极-基极截止电流(ICBO):-1 μA(VCB=-30V, IE=0) - 发射极-基极截止电流(IEBO):-1 μA(VEB=-5V, IC=0) - 直流电流增益(hFE):60-400(VCE=-2V, IC=-1A) - 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):-0.3-0.5V(IC=-2A, IB=-0.2A) - 基极-发射极饱和电压(VBE(sat)):-1.0-2.0V(IC=-2A, IB=-0.2A) - 输出电容(Cob):55 pF(VCB=-10V, IE=0, f=1MHz) - 电流增益-带宽积(fT):80 MHz(VCE=-5V, IE=-0.1A)

6. 应用信息: - HS772适用于音频频率功率放大器和开关电源放大器。

7. 封装信息: - 封装类型为TO-126。
HS772 价格&库存

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