HS945

NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. 　 █ APPLICATIONS The H945 is designed for driver stage of AF amplifier And low speed switching. HS945 █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（ Ta=25℃） T stg ——Storage Temperature………………………… -55~150 ℃ T j ——Junction Temperature…………………………………150℃ PC——Collector Dissipation…………………………………250mW VCBO —— Collector-Base Voltage………………………………60V VCEO —— Collector-Emitter Voltage……………………………50V VE B O —— Emitter -Base Voltage ……………………………… 5V I C —— Collector Current …………………………………… 150mA T O-92 1―Emitter ， E 2―Base， B 3― Collector，C █ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Ta=25℃） Symbol　 Characteristics　 Collector-Base Breakdown Voltage Collector-Emitter Breakdown Voltage Emitter-Base Breakdown Voltage Min　 Typ　 Max　 Unit 　 Test Conditions 　 BVCBO BVCEO BVEBO HFE　 ６０　 ５０　 ５　 ７０　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 ７００　 ０．３　 １．０　 １００　 Ｖ　 Ｖ　 Ｖ　 　 Ｖ　 Ｖ　 ｎＡ　 IC=100μA, IC=100μA, IE=0 IB=0　 DC Current Gain　 IE=100μA，IC=0 VCE=6V, IC=1mA　 IC=100mA, IB=10mA 　 IC=100mA, IB=10mA　 VCB=60V, IE=0 VEB=5V, IC=0 VCE=6V, IC=10mA VCB=6V, IE=0， f=1ＭＨｚ ＶＣＥ＝６Ｖ，ＩＣ＝０．５ｍＡ，ｆ＝１ＫＨｚ， Ｒｓ＝５００Ω VCE(sat)　 Collector- Emitter Saturation Voltage 　 VBE(sat)　 Base-Emitter Saturation Voltage　 ICBO IEBO fT Cob NF Collector Cut-off Current Emitter Cut-off Current Current Gain-Bandwidth Product Output Capacitance Noise Figure 　 １００　 ｎＡ　 ３００　 　 ＭＨｚ　 ２．５　 　 ｐＦ　 ４．０　 　 ｄＢ　 █ hFE Classification O Y 　 　　１２０—２４０　　 GR 　　　　２００—４００　 　 BL 　　　３５０—７００　 　 　 　 　７０—１４０