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HSBD138

HSBD138

  • 厂商:

    HUASHAN

  • 封装:

  • 描述:

    HSBD138 - PNP SILICON TRANSISTOR - SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD

  • 数据手册
  • 价格&库存
HSBD138 数据手册
Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. PNP S I L I C O N T R A N S I S T O R HSBD138 █ APPLICATIONS Medium Power Linear switching Applications █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) Tstg ——Storage Temperature………………………… -55~150℃ T j —— Junction Temperature ……………………………… 1 50 ℃ PC——Collector Dissipation(Tc=25℃)…………………… 12.5W PC——Collector Dissipation(TA=25℃)…………………… 1.25W VCBO —— Collector-Base Voltage …………………………… -60V VCEO —— Collector-Emitter Voltage ………………………… -60V VEBO——Emitter-Base Voltage………………………………… -5V IC——Collector Current Pulse) ( ………………………………… -3A IC——Collector Current(DC)……………………………… -1.5A IB——Base Current……………………………………………-0.5A 1―Emitter, E 2―Collector,C 3―Base,B █ ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Ta=25℃) Symbol ICBO IEBO hFE(1) hFE(2) hFE(3) VCE(sat) VBE(ON) VCEO(SUS) Collector-Emitter Saturation Voltage Base-Emitter On Voltage Collector-Emitter Sustaining Voltage -60 Characteristics Collector Cut-off Current Emitter-Base Cut-off Current DC Current Gain 25 25 40 250 -0.5 -1.0 V V Min Typ Max -0.1 -10 Unit μA μA Test Conditions VCB=-30V, IE=0 VEB=-5V, IC=0 VCE=-2V, IC=-5mA VCE=-2V, IC=-0.5A VCE=-2V, IC=-150mA Ic=-500mA, IB=-50mA Ic=-0.5A, VCE=-2V Ic=-30mA,IB=0 █hFE(3) Classification Cassification 6 40~100 10 63~160 16 100~250 hFE(3)
HSBD138 价格&库存

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