HSBD379

NPN S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. HSBD379 █　 APPLICATIONS Medium Power Linear switching Applications 　 █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（ Ta=25℃） T stg ——Storage Temperature………………………… － 55~150℃ T j ——Junction Temperature……………………………… 1 50℃ 　 PC——Collector Dissipation （T c=25℃）…………………… 25W VCBO —— Collector-Base Voltage …………………………… 100V VCEO —— Collector-Emitter Voltage………………………… 80V VEBO —— Emitter-Base Voltage………………………………… 5V 1―Emitter, E 2―Collector，C 3―Base， B 　 IC——Collector Current Pulse）………………………………… 3A （ 　C I ——Collector Current DC） （ …………………………………… 2A Ib——Base Current………………………………………………1A 　 █ELECTRICAL CHARACTERISTICS（ Ta=25℃） Symbol　 Characteristics　 Min　 Typ　 Max　 Unit 　 Test Conditions 　 ICBO IEBO Collector Cut-off Current Emitter Cut-off Current 　 　 ４０　 ２０　 　 　 ８０　 １００　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 ５０　 ５００　 ２　 ３７５　 　 １　 １．５　 　 　 　 　 μＡ　 VCB=80V, IE=0 　 　 Ｖ　 Ｖ　 Ｖ　 Ｖ　 ｎＳ　 ｎＳ　 VCE=2V, IC=150mA　 VCE=2V, IC=1A　 IC=1A, IB =0.1A　 VCE=2V, IC=1A IC=100mA, IB=0 IC=100μA, IE=0 VCC=30V, IC=0.5A IB1 =-IB2 =0.05A １００　 μＡ　 VEB=5V, IC=0 *HFE（1）　 DC Current Gain　 *HFE（2）　 DC Current Gain　 *VCE(sat)　 Collector- Emitter Saturation Voltage 　 *VBE(on) VCEO(sus) BVCBO tON tOFF Base-Emitter On Voltage Collector-Emitter Sustaining Voltage Collector-Base Breakdown Voltage Turn-On Time Turn-Off Time *　Ｐｕｌｓｅ　Ｔｅｓｔ：ＰＷ＝３５０μＳ，Ｄｕｔｙ　Ｃｙｃｌｅ＝２％　Ｐｕｌｓｅｄ █ hFE(3) Classification Cassification 6 40~100 10 63~160 16 100~250 25 150~375 hFE(3)