HSBD442

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. PNP S I L I C O N T R A N S I S T O R HSBD442 █　 APPLICATIONS Medium Power Linear switching Applications █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（ Ta=25℃） T stg ——Storage Temperature………………………… － 55~150℃ T j ——J unction Temperature……………………………… 1 50℃ 　 PC——Collector Dissipation （T c=25℃）…………………… 36W VCBO —— Collector-Base Voltage …………………………… -80V VCEO —— Collector-Emitter Voltage ………………………… -80V VCES —— Collector-Emitter Voltage ………………………… -80V VEBO —— Emitter-Base Voltage………………………………… -5V 1―Emitter, E 2―Collector，C 3―Base， B 　 IC——Collector Current Pulse） （ ………………………………… -7A 　C——Collector Current（DC）………………………………… I -4A I 　B——Base Current………………………………………………-1A █ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Ta=25℃） Symbol　 Characteristics　 Min　 Typ　 Max　 Unit 　 Test Conditions 　 ICBO IEBO ICES Collector Cut-off Current Emitter Cut-off Current Collector Cut-off Current 　 　 　 １５　 ４０　 １５　 　 　 　 －８０　 ３　 　 　 　 １４０　 １４０　 　 　 －０．５８　 　 　 　 －１００　 μＡ　 VCB=-80V, IE=0 －１　 　 　 　 －０．８　 　 －１．５　 　 　 ｍＡ　 VEB=-5V, IC=0 　 　 　 Ｖ　 Ｖ　 Ｖ　 Ｖ　 VCE=-5V, IC=-10mA　 VCE=-1V, IC=-500mA　 VCE=-1V, IC=-2A　 IC=-2A, IB=-0.2A　 VCE=-5V, IC=-10mA VCE=-1V, IC=-2A IC=-100mA, IB=0 －１００　 μＡ　 VCE=-80V, VEB=0 *HFE（1）　 DC Current Gain　 *HFE（2）　 DC Current Gain　 *HFE（3）　 DC Current Gain　 *VCE(sat)　 Collector- Emitter Saturation Voltage 　 *VBE(on1) *VBE(on2) VCEO(sus) ft Base-Emitter On Voltage Base-Emitter On Voltage Collector-Emitter Sustaining Voltage Current Gain-Bandwidth Product ＭＨｚ　 VCE=-1V, IC=-250mA, *　Ｐｕｌｓｅ　Ｔｅｓｔ：ＰＷ＝３００μＳ，Ｄｕｔｙ　Ｃｙｃｌｅ＝１．５％　Ｐｕｌｓｅｄ