KSH13009

Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. N P N S I L I C O N T RANSISTOR KSH13009 █　ＨＩＧＨ　ＶＯＬＴＡＧＥ　ＳＷＩＴＣＨ　ＭＯＤＥ　ＡＰＰＬＩＣＩＣＡＴＩＯＮＳ High Speed Switching Suitable for Switching Regulator and Montor Control █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（ Ta=25℃） T stg ——Storage Temperature………………………… －５5~150℃ T j ——Junction Temperature……………………………… 150℃ 　 PC——Collector Dissipation T c=25℃） （ …………………… 100W VCBO ——Collector-Base Voltage…………………………… 700V VCEO——Collector-Emitter Voltage………………………… 400V VEBO —— Emitter-Base Voltage ……………………………… 9V IC——Collector Current（DC）……………………………… 12A IB——Base Current……………………………………………6A T O-220 1―Base， B 2―Collector，C 3―Emitter, E 　 █ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Ta=25℃） Symbol　 Characteristics　 Collector-Emitter Breakdown Voltage Emitter-Base Cut-off Current　 Min　 Typ　 Max　 Unit 　 Test Conditions 　 BVCEO IEBO　 HFE（1） HFE（2） VCE(sat)1 VCE(sat)2 VCE(sat)3 VBE(sat)1 Cob fT 　 tON　 tSTG　 tF ４００　 　 ８　 ６　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 １８０　 　 　 　 　 　 １　 ４０　 ３０　 １　 １．５　 ３　 １．２　 １．６　 　 Ｖ　 IC=10mA, IB=0　 DC Current Gain Collector- Emitter Saturation Voltage ｍＡ　 VEB=9V, IC=0　 　 VCE=5V, IC=5A 　 Ｖ　 Ｖ　 Ｖ　 Ｖ　 Ｖ　 VCE=5V, IC=8A IC=5A, IB =1A IC=8A, IB =1.6A IC=12A, IB =3A IC=5A, IB=1A IC=8A, IB =1.6A　 Base-Emitter Saturation Voltage Output Capacitance Current Gain-Bandwidth Product　 Turn On Time　 Storage Time　 Fall Time 　 　 　 ４　 　 　 　 VBE(sat)2　 　 ｐＦ　 VCB=10V,f=0.1MHz 　 ＭＨｚ　 VCE =10V,IC=0.5A　 　 １．１　 μs　 VCC=125V, IC=8A,　 ３　 μs　 ０．７　 μs　 IB1 =1.6A,IB2 =-1.6A