物料型号:KMT32B
器件简介:
- 基于各向异性磁阻效应的磁场传感器,可独立于磁场强度感应磁场方向。
- 适用于25 kA/m以上的应用场强。
- 包含两个并联的惠斯通电桥,敏感角度为45度。
引脚分配:
- SO8和TDFN两种封装,具体引脚功能包括正负电源电压、正负输出桥等。
参数特性:
- 工作温度范围:-40°C 至 +150°C,可应要求扩展至+160°C。
- 供电电压:5V。
- 单桥电阻:2400Ω至3600Ω。
- 输出信号幅度:9mV/V至13mV/V。
- 偏置电压:-1mV/V至+1mV/V。
- 角度不准确性:0.05°至0.2°。
- 角度滞后:0.1°。
功能详解:
- 传感器适用于高精度角度测量应用。
- 可在室温下,与磁场强度为14 kA/m或更高的磁场一起使用(注意地磁场的影响)。
- 大多数磁铁随着温度的升高磁场强度会降低,但磁场方向保持不变。
应用信息:
- 适用于绝对和增量角度测量、汽车(转向角度、扭矩)、机器人技术、相机定位、电位计替代、医疗应用中的位置测量、电机运动控制等。
封装信息:
- 提供SO8和TDFN两种封装选项,文档中还包含了封装的尺寸细节和推荐的焊盘布局。