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1N5407

1N5407

  • 厂商:

    HY(宏一)

  • 封装:

  • 描述:

    1N5407 - PLASTIC SILICON RECTIFIERS - HY ELECTRONIC CORP.

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1N5407 数据手册
1N5400 thru 1N5408 PLASTIC SILICON RECTIFIERS REVERSE VOLTAGE - 50 to 1000 Volts FORWARD CURRENT - 3.0 Amperes DO- 27 FEATURES ● Low cost ● Diffused junction ● Low forward voltage drop ● Low reverse leakage current ● High current capability ● The plastic material carries UL recognition 94V-0 .052(1.3) DIA. .048(1.2) 1.0(25.4) MI .375(9.5) .335(8.5) 210 MECHANICAL DATA ●Case: JEDEC DO-27 molded plastic ●Polarity: Color band denotes cathode ●Weight: 0.04 ounces , 1.1grams ●Mounting position: Any .220(5.6) DIA. .197(5.0) 1.0(25.4) MI Dimensions in inches and (millimeters) MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave ,60Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20% CHARACTERISTICS Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage Maximum RMS Voltage Maximum DC Blocking Voltage Maximum Average Forward Rectified Current Peak Forward Surge Current 8.3ms Single Half Sine-Wave Supe Imposed on Rated Load(JEDEC Method) Maximum Forward Voltage at 3.0A DC Maximum DC Reverse Current at Rated DC Blocking Voltage Typical Junction Capacitance (Note1) Typical Thermal Resistance (Note2) Operating Temperature Range Storage Temperature Range @TJ=25℃ @TJ=100℃ @TA =55 ℃ SYMBOL VRRM VRMS VDC I(AV) 1N 5400 50 35 50 1N 5401 100 70 100 1N 5402 200 140 200 1N 5403 300 210 300 1N 5404 400 280 400 3.0 1N 5405 500 350 500 1N 5406 600 420 600 1N 5407 800 560 800 1N 5408 1000 700 1000 UNIT V V V A IFSM VF IR CJ RθJA TJ TSTG 50 200 1.2 5.0 50 35 15 -55 to +125 -55 to +150 A V uA pF ℃/W ℃ ℃ NOTES:1.Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC 2.Thermal resistance junction of ambient. ~ 15 ~ RATING AND CHARACTERTIC CURVES 1N5400 thru 1N5408 FIG. 1 – FORWARD CURRENT DERATING CURVE AVERAGE FORWARD CURRENT (AMPERES) 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 0 25 50 75 100 125 150 175 PEAK FORWARD SURGE CURRENT (AMPERES) SINGLE PHASE HALF WAVE 60Hz RESISTIVE OR INDUCTIVE LOAD FIG. 2 – MAXIMUM NON-REPETITIVE SURGE CURRENT 200 150 PULSE WIDTH 8.3ms SINGLE HALF-SINE-WAVE (JEDEC METHOD) 100 50 0 1 2 5 10 20 50 100 AMBIENT TEMPERATURE (℃) NUMBER OF CYCLES AT 60Hz FIG.3 – TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE 100 1N5400 TO 1N5405 FIG.4-TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS 100 INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT,(A) CAPACITANCE, (pF) 10 1N5406 TO 1N5408 10 TJ = 25°C 1.0 TJ = 25°C f = 1 MHz PULSE WIDTH 300us 1 1 4 10 100 0.1 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 REVERSE VOLTAGE,VOLTS INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE,VOLTS ~ 16 ~
1N5407
物料型号: - 1N5400至1N5408系列是一系列塑料硅整流器。

器件简介: - 这些器件是低成本的扩散结整流器,具有低正向电压降、低反向漏电流和高电流能力。 - 塑料材料符合UL 94V-0认证。

引脚分配: - 器件采用JEDEC DO-27塑封封装,具有极性标识,色带表示阴极。

参数特性: - 最大重复峰值反向电压(VRRM):50V至1000V不等。 - 最大RMS电压(VRMS):35V至700V不等。 - 最大直流阻断电压(VDc):50V至1000V不等。 - 最大平均正向整流电流(I(AV)):3.0A。 - 正向峰值浪涌电流(IFSM):200A。 - 最大正向电压(VF)在3.0A直流下:1.2V。 - 最大直流反向电流(IR):5.0μA至50μA不等。 - 典型结电容(CJ):35pF至50pF。 - 典型热阻(RBJA):15°C/W。

功能详解: - 这些整流器适用于单相、半波、60Hz的电阻性或感性负载。对于电容性负载,电流需降低20%。 - 工作温度范围:-55℃至+125℃。 - 存储温度范围:-55℃至+150℃。

应用信息: - 适用于需要整流功能的电路,如电源整流、信号整流等。

封装信息: - 封装类型为DO-27,尺寸以英寸和毫米提供。
1N5407 价格&库存

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