IC62VV51216L-70BI

1. 物料型号： - IC62VV51216L 和 IC62VV51216LL

2. 器件简介： - IC62VV51216L 和 IC62VV51216LL 是低功耗、8.388,608位静态RAM，以524,288字×16位组织。它们使用ICSI的高性能CMOS技术制造，具有高可靠性和低功耗特性。

3. 引脚分配： - 44-Pin TSOP-2 和 48-Pin TF-BGA封装。 - 引脚包括地址输入A0-A18、数据输入输出1/O0-1/O15、芯片使能输入CE1和CE2（CE2仅在BGA封装中）、输出使能输入OE、写使能输入WE、低字节控制LB、高字节控制UB、无连接NC、电源Vcc和地GND。

4. 参数特性： - 工作电压：1.65V-2.2V。 - 功耗：典型工作20mW，典型待机5µW。 - 访问时间：70ns和100ns。 - 工作温度：商业级0°C至+70°C，工业级-40°C至+85°C。

5. 功能详解： - 支持高速访问时间、CMOS低功耗操作、TTL兼容接口电平、单1.65V-2.2V Vcc电源供电、全静态操作（无需时钟或刷新）、三态输出、数据控制上下字节、工业温度可用、提供良好死芯片形式的44-pin TSOP-2和48-pin 810mm TF-BGA封装。

6. 应用信息： - 适用于需要低功耗和高性能静态RAM的应用场合。

7. 封装信息： - JEDEC标准44-pin TSOP-2和48-pin 810mm TF-BGA封装。