IC62VV51216LL-70T

物料型号： - IC62VV51216L - IC62VV51216LL

器件简介： ICSI的IC62VV51216L和IC62VV51216LL是低功耗、8.388,608位静态RAM，组织为524,288字×16位。它们使用ICSI的高性能CMOS技术制造。这种高可靠性工艺与创新的电路设计技术相结合，提供了高性能和低功耗的设备。

引脚分配： - 44-Pin TSOP-2和48-Pin TF-BGA封装。 - 引脚包括地址输入(A0-A18)、数据输入/输出(1/O0-1/O15)、芯片使能1和2输入(CE1和CE2)、输出使能输入(OE)、写使能输入(WE)、低字节控制(LB)和高字节控制(UB)等。

参数特性： - 高速访问时间：70ns和100ns。 - CMOS低功耗操作：典型工作20mW，典型待机5µW。 - TTL兼容接口电平。 - 单1.65V-2.2V Vcc电源供电。 - 全静态操作：无需时钟或刷新。 - 三态输出。 - 数据控制上下字节。 - 工业温度范围可用。 - 可用裸片形式。

功能详解： - 当CE1为高电平或CE2为低电平(未选中)或LB和UB都为高电平时，设备进入待机模式，可以通过使用CMOS输入电平降低功耗。 - 通过使用芯片使能输出和使能输入CE1、CE2和OE，提供简单的内存扩展。 - 活跃低写使能(WE)控制内存的读写。 - 一个字节数据允许访问高字节(UB)和低字节(LB)。

应用信息： - 该芯片适用于需要低功耗和高可靠性静态RAM的应用场合。

封装信息： - JEDEC标准44-Pin TSOP-2和48-Pin 810mm TF-BGA封装。