IC62VV5128L-100H

物料型号： - IC62VV5128L和IC62VV5128LL是低电压、524,288字×8位的CMOS SRAM。

器件简介： - 这些器件采用ICSI的低电压六晶体管（6T）CMOS技术制造，目标是满足移动电话和寻呼机等尖端技术的需求。

引脚分配： - 32引脚820mm TSOP-1和813.4mm TSOP-1，以及48引脚68mm TFBGA封装。 - 引脚包括地址输入A0-A18、芯片使能输入CE、输出使能输入OE、写使能输入WE、数据输入/输出1/00-1/07、电源Vcc和地GND等。

参数特性： - 访问时间：55ns、70ns、100ns。 - 低功耗操作：典型工作电流Icc为10mA，待机电流Isb2为1µA。 - 低数据保持电压：最小1.0V。 - TTL兼容的输入和输出。 - 完全静态操作，无需时钟或刷新。 - 工作电压范围：1.65V至2.2V。

功能详解： - 通过使用芯片使能和输出使能输入，提供轻松的内存扩展。 - 活动低写使能（WE）控制内存的读写。 - 支持不同速度等级和封装类型的产品。

应用信息： - 适用于需要低电压和低功耗SRAM的应用，如移动电话、寻呼机等。

封装信息： - 32引脚TSOP-1封装（820mm和813.4mm两种尺寸）和48引脚TFBGA封装（68mm）。