IC62VV5128LL-100B

### 物料型号 - IC62VV5128L：512K x 8位1.8V和超低功耗CMOS静态RAM - IC62VV5128LL：512K x 8位1.8V和低VCC CMOS静态RAM

### 器件简介 ICSI的IC62VV5128L和IC62VV5128LL是一种低电压、524,288字×8位的CMOS SRAM。它们使用ICSI的低电压、六晶体管（6T）CMOS技术制造，旨在满足如手机和寻呼机等尖端技术的需求。

### 引脚分配 - 32-Pin TSOP-1和48-Pin TFBGA：提供不同的封装选项，具体引脚配置如下： - A0-A18：地址输入 - CE：芯片使能输入 - OE：输出使能输入 - WE：写使能输入 - I/O[7:0]：数据输入/输出 - Vcc：电源 - GND：地

### 参数特性 - 访问时间：55、70、100纳秒 - 低功耗操作：典型操作时Icc为10mA，待机时ISB2为1µA - 低数据保持电压：1.0V（最小） - 输出使能（OE）和芯片使能（CE）输入：便于应用 - TTL兼容的输入和输出 - 全静态操作：无需时钟或刷新

### 功能详解 - 动态操作：在CE为高电平时（未选中），设备进入待机模式，此时功耗可以降低。 - 读写控制：通过活动低的写使能（WE）控制内存的读写。

### 应用信息 这些SRAM适用于需要低电压和低功耗操作的应用，如移动电话、寻呼机等。

### 封装信息 - 32-Pin 820mm TSOP-1 - 32-Pin 813.4mm TSOP-1 - 48-Pin 68mm TFBGA