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Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode
Datenblatt / Data sheet
56DN06
Tvj = -40°C... Tvj max VRRM IFRMSM TC = 126 °C Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max, tP = 10 ms Tvj = 25 °C, tP = 10 ms Tvj = Tvj max, tP = 10 ms IFAVM IFSM I²t 600 V 10050 A 6400 A 81000 A 70000 A 32800 10³A²s 24500 10³A²s
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung Kenndaten repetitive peak reverse voltages Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert maximum RMS on-state current Dauergrenzstrom average on-state current Stoßstrom-Grenzwert surge current Grenzlastintegral I²t-value Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung on-state voltage Schleusenspannung threshold voltage Ersatzwiderstand slope resistance Durchlaßkennlinie 2000 A ≤ iF ≤ 32000 A on-state characteristic
Elektrische Eigenschaften
Tvj = Tvj max , iF = 10 kA
vF
max.
1,15 V
Tvj = Tvj max Tvj = Tvj max Tvj = Tvj max
V(TO) rT A= B= C= D= iR
0,7 V 0,04 mΩ 4,617E-01 2,002E-05 7,441E-03 4,190E-03 max. 100 mA
v F = A + B ⋅ i F + C ⋅ ln ( i F + 1 ) + D ⋅
Sperrstrom reverse current Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature
iF
Tvj = Tvj max , vR = VRRM
Thermische Eigenschaften
Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided
Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided, θ = 180°sin beidseitig / two-sided, DC
RthJC
max. max. max.
0,0062 °C/W 0,0055 °C/W 0,0025 °C/W 180 °C
RthCH Tvj max Tc op Tstg
-40...+180 °C -40...+180 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see annex Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Anpreßkraft clamping force Gewicht weight Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 Hz F G typ.
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40...60 kN 110 g 50 m/s²
prepared by: H.Sandmann approved by: M.Leifeld
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2011-02-17 3.0
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Datenblatt / Data sheet
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Maßbild
Maßbild
Hinweis: Wir empfehlen die Diode mit einem temperaturbeständigen O-Ring zu schützen. Notice: We recommended to protect the diode with a temperature resistant O-Ring.
1
2
1: Anode/ Anode 2: Kathode/ Cathode
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Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC für DC Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC for DC Transienter Wärmewiderstand Kühlung / Cooling beidseitig two-sided Pos. n Rthn [°C/W] 1 0,000019 0,000010 2 0,00032 0,00145 3 0,001015 0,014031 4 0,004146 0,071000 5 nmax n=1
6 -
7 -
τn [s]
Analytische Funktion / Analytical function:
ZthJC =
ΣR
thn
1− e
τn
-t
0,006 b 0,005 0,004 0,003 0,002 0,001 0,000 0,001
Z thJC [°C/W]
0,01
t [s]
0,1
1
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC / Transient thermal impedance for DC Z thJC = f(t) b - Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
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Erhöhung des Zth DC bei sinus- und rechteckförmigen Strömen für unterschiedliche Stromflusswinkel Θ Rise of Diagramme Zth DC for sinewave and rectangular current for different current conduction angles Θ ∆Zth Θ rec / ∆Zth Θ sin Diagramme Kühlung / Cooling ∆Zth Θ rec [°C/W] ∆Zth Θ sin [°C/W] Θ = 180° 0,00115 0,00083 Θ = 120° 0,00181 0,00114 Θ = 90° 0,00230 0,00153 Θ = 60° 0,00302 0,00219 Θ = 30° 0,00424 0,00343
beidseitig two-sided
Zth Θ rec = Zth DC + ∆Zth Θ rec Zth Θ sin = Zth DC + ∆Zth Θ sin
35.000 30.000 25.000 iF [A] 20.000 15.000 10.000 5.000 0 0,6 0,8 1 1,2 VF [V] 1,4 1,6 1,8 2 Tvj = Tvj max
Durchlasskennlinie
Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic iF = f(vF) Tvj = Tvj max
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12000 10000 8000 PFAV [W]
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Durchlassverluste
c e d Parameter: a - DC b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2) c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2) d - rec 60°el (M 6) e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load) f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load) b a
6000 4000 2000 0 0 2000
f
4000
6000 IFAV [A]
8000
10000
12000
Durchlassverlustleistung / On-state power loss PFAV = f(IFAV) Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
180 160 140 120 T C [°C] 100 80 60 40 20 0 2000
f e
Tc beidseitig
Parameter: a - DC b - sin 180°el (M 1 , M 2 , B 2) c - rec 120° el (B 6 , M 3 , M 3.2) d - rec 60°el (M 6) e - sin 60°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load) f - sin 30°el (M 1 , M 2 , B 2 Gegenspannungsbelastung / Reverse voltage load)
d
c
b
a
4000
6000 I FAV [A]
8000
10000
12000
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature TC = f(IFAV) Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
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80 70 60 50 40
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Qr Diagramm
IF(OV)M [kA]
0-50V 30 20 10 0 1 3 5 7 9 11 13 15 17 Anzahl der Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen Number of pulses of 50Hz sinusoidal half waves 0,33 VRRM 0,67 VRRM
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes IF(OV)M von der Anzahl für eine Folge von Sinus Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung VRM Typical dependency of maximum overload on-state current IF(OV)M as a number of a sequence of sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage VRM IF(OV)M = f (pulses, VRM) ; Tvj = Tvj max
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