BAS21

厂商：
INFINEON
封装：
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BAS21 - Silicon Switching Diodes - Infineon Technologies AG

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BAS19...BAS21 Silicon Switching Diodes High-speed, high-voltage switching applications 3 1For calculation of RthJA please refer to Application Note Thermal Resistance 1 1 2 1 3 EHA07002 VPS05161 Type BAS19 BAS20 BAS21 Maximum Ratings Parameter Diode reverse voltage BAS19 BAS20 BAS21 Peak reverse voltageBAS19 BAS20 BAS21 Forward current Peak forward current Total power dissipation TS = 70 °C Junction temperature Storage temperature Thermal Resistance Parameter Marking JPs JRs JSs 1=A 1=A 1=A Pin Configuration 2 = n.c. 2 = n.c. 2 = n.c. 3=C 3=C 3=C Package SOT23 SOT23 SOT23 Symbol VR Value 100 150 200 Unit V VRM 120 200 250 IF IFM Ptot Tj Tstg 250 625 350 150 -65 ... 150 mW °C mA Symbol RthJS Value Unit Junction - soldering point1) 230 K/W Aug-06-2001 BAS19...BAS21 Electrical Characteristics at TA = 25°C, unless otherwise specified Parameter DC Characteristics Breakdown voltage I(BR) = 100 µA, BAS19 I(BR) = 100 µA, BAS20 I(BR) = 100 µA, BAS21 Reverse current VR = VRmax VR = VRmax , TA = 150 °C Forward voltage IF = 100 mA IF = 200 mA AC Characteristics Diode capacitanceVR = 0 V, f = 1 MHz Reverse recovery time IF = 30 mA, IR = 30 mA, measured at IR = 3 mA, trr 50 ns CT 5 pF Symbol min. V(BR) 120 200 250 IR VF - Values typ. max. Unit V µA 0.1 100 V 1 1.25 Test circuit for reverse recovery time EHN00018 2 Aug-06-2001 ΙF Oscillograph Oscillograph: R = 50 , tr = 0.35 ns, C D.U.T. RL = 100 Pulse generator: tp = 1 s, D = 0.05, tr = 0.6 ns, Ri = 50 1 pF BAS19...BAS21 Reverse current IR = VR = Parameter 10 2 µA BAS 19...21 IF = Parameter EHB00027 1.5 V BAS 19...21 ΙR 10 1 5 max VF 1.0 typ. 10 0 5 0.5 10 -1 5 10 -2 0 50 100 TA ˚C 150 0.0 0 50 TA = 25 °C 800 mA 700 600 500 400 300 200 100 BAS 19...21 TA = 25 °C EHB00028 10 2 BAS 19...21 ΙF Ι FM A 10 1 D = 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 10 0 10 -1 tp D= T 0 0.0 0.5 1.0 V VF 1.5 10-2 10-6 10-5 10-4 10-3 3 Forward current IF = (VF) Peak forward current IFM = (TA ) Forward Voltage VF = (TA) EHB00029 Ι F = 625 mA 250 mA 100 mA 10 mA 100 TA ˚C 150 (tp) EHB00032 tp T 10-2 10-1 s 100 t Aug-06-2001 BAS19...BAS21 Reverse voltage VR = (TA ) Permissible Pulse Load 300 V BAS 19...21 EHB00031 10 2 200 BAS 21 IFmax/IFDC VR BAS 20 10 1 100 BAS 19 0 0 50 100 TA ˚C 150 10 0 -6 10 10 10 3 10 2 RthJS 10 1 10 0 10 -1 -6 10 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 Permissible Puls Load RthJS = (tp ) D = 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 0.005 0 s 10 0 tP 4 -5 IFmax / IFDC = (tp ) D=0 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 10 -4 10 -3 10 -2 s 10 0 tP Aug-06-2001

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BAS21

### 物料型号 - BAS19：JPs - BAS20：JRs - BAS21：JSs

### 器件简介 这些是高速、高电压开关应用中的硅开关二极管。

### 引脚分配 - BAS19：1=A（阳极），2=n.c.（空脚），3=C（阴极） - BAS20：1=A（阳极），2=n.c.（空脚），3=C（阴极） - BAS21：1=A（阳极），2=n.c.（空脚），3=C（阴极）

### 参数特性 - 最大额定值： - 反向电压（V_R）：BAS19为100V，BAS20为150V，BAS21为200V。 - 峰值反向电压：BAS19为120V，BAS20为200V，BAS21为250V。 - 正向电流（I_F）：最大250mA。 - 峰值正向电流（I_FM）：625mA。 - 总功耗（P_tot）：在T_s=70°C时为350mW。 - 结温（T_j）：150°C。 - 储存温度（T_stg）：-65°C至150°C。

- 热阻（R_thJS）：不超过230°C/W。

### 功能详解 这些二极管具有特定的电气特性，包括击穿电压、反向电流、正向电压、二极管电容和反向恢复时间。具体数值如下： - 击穿电压（V_(BR)）：BAS19为120V，BAS20为200V，BAS21为250V。 - 反向电流（I_R）：在VR=VRmax时为0.1μA，在VR=VRmax，TA=150°C时为100μA。 - 正向电压（V_F）：在IF=100mA时为1V，在IF=200mA时为1.25V。 - 二极管电容（C_T）：5pF，在VR=0V，f=1MHz时。 - 反向恢复时间（t_rr）：50ns，在IF=30mA，IR=30mA，测量于IR=3mA，RL=100Ω时。

### 应用信息 这些二极管适用于高速、高电压开关应用。

### 封装信息 所有型号均采用SOT23封装。

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