BAS70-02W

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INFINEON
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BAS70-02W - Silicon Schottky Diode - Infineon Technologies AG

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BAS70-02W Silicon Schottky Diode 2 General-purpose diode for high-speed switching Circuit protection Voltage clamping High-level detection and mixing 1 Pin Configuration 1=C 2=A - VES05991 Package SCD80 Type BAS70-02W Maximum Ratings Parameter Diode reverse voltage Forward current Marking f Symbol VR IF IFSM Ptot Tj Top Tstg Value 70 70 100 250 150 -55 ... 125 -55 ... 150 Unit V mA mW °C Surge forward current, t 10 ms Total power dissipation Junction temperature Operating temperature range Storage temperature TS 107°C Thermal Resistance Parameter Junction - soldering point1) 1For calculation of RthJA please refer to Application Note Thermal Resistance 1 Symbol RthJS Value 170 Unit K/W Aug-17-2001 BAS70-02W Electrical Characteristics at TA = 25°C, unless otherwise specified Parameter DC Characteristics Breakdown voltage I(BR) = 10 A Reverse current VR = 50 V VR = 70 V Forward voltage IF = 1 mA IF = 10 mA IF = 15 mA VF 300 600 750 375 705 880 410 750 1000 V(BR) IR 0.1 10 mV 70 V µA Symbol min. Values typ. max. Unit AC Characteristics Diode capacitanceVR = 0 V, f = 1 MHz IF = 5 mA, f = 10 kHz IF = 25 mA Series inductance Differential forward resistance Charge carrier life time CT RF 1.5 34 0.8 2 100 pF rr LS 2 Aug-17-2001 ps nH BAS70-02W Diode capacitance CT = f = 1MHz BAS 70W/BAS 170W f = 10 kHz EHB00044 2.0 CT pF 10 3 rf Ω BAS 70W/BAS 170W EHB00045 1.5 10 2 1.0 10 1 0.5 0.0 0 20 40 60 V VR 80 10 0 0.1 1 10 mA 100 TA = Parameter BAS 70W/BAS 170W 10 2 EHB00043 100 mA ΙR µA 10 1 TA = 150 C 80 70 10 0 85 C IF 60 50 10 -1 40 30 10 -2 25 C 20 10 10 -3 0 20 40 60 V VR 80 0 0 20 40 60 3 Reverse current IR = (VR) Forward current IF = (TS ) 80 100 120 °C Aug-17-2001 (VR ) Differential forward resistance rf = (IF) ΙF 150 TS BAS70-02W Forward current IF = TA = 25 °C 10 2 BAS 70W/BAS 170W (VF) Permissible Pulse Load -5 ΙF mA 10 1 IFmax/IFDC 10 0 TA = -40 C 25 C 85 C 150 C 10 -1 10 -2 0.0 0.5 10 3 K/W RthJS 10 2 10 1 D=0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 0.005 0 10 0 -6 10 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 Permissible Puls Load RthJS = IFmax / IFDC = EHB00042 (tp ) 10 1 D=0 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 V VF 1.5 10 0 -6 10 10 10 -4 10 -3 10 -2 s 10 0 tp (tp ) s 10 0 tp 4 Aug-17-2001

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BAS70-02W

1. 物料型号： - 型号：BAS70-02W

2. 器件简介： - BAS70-02W是一种通用肖特基二极管，适用于高速开关、电路保护、电压钳位、高电平检测和混合用途。

3. 引脚分配： - 引脚配置：1=C（阴极），2=A（阳极）

4. 参数特性： - 最大整流电压（VR）：70V - 正向电流（IF）：70mA - 浪涌正向电流（IFSM），t=10ms：100mA - 总功耗，Ts ≤ 107°C：250mW - 结温（T）：150°C - 工作温度范围（Top）：-55°C至125°C - 存储温度（Tstq）：-55°C至150°C - 热阻参数（RthJS）：170K/W（结到焊接点）

5. 功能详解： - 电气特性在Ta=25°C时： - 击穿电压（V(BR)）在10A时：70V - 反向电流（IR），VR=50V时：0.1μA；VR=70V时：10μA - 正向电压（VF），IF=1mA时：0.41V；IF=10mA时：0.75V；IF=15mA时：0.75V至1V - AC特性： - 二极管电容（CT），VR=0V，f=1MHz时：1.5至2pF - 差分正向电阻（RF），IF=5mA，f=10kHz时：34Ω - 载流子寿命（trr），IF=25mA时：100ps - 串联电感（Ls）：0.8nH

6. 应用信息： - 适用于高速开关、电路保护、电压钳位、高电平检测和混合用途。

7. 封装信息： - 封装类型：SCD80

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