BAT64-06

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INFINEON
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BAT64-06 - Silicon Schottky Diodes - Infineon Technologies AG

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BAT64... Silicon Schottky Diodes • For low-loss, fast-recovery, meter protection, bias isolation and clamping application • Integrated diffused guard ring • Low forward voltage BAT64 3 BAT64-02V BAT64-02W BAT64-04 BAT64-04W 3 BAT64-05 BAT64-05W 3 BAT64-06 BAT64-06W 3 1 2 D1 D2 D1 D2 D1 D2 1 2 1 2 1 2 1 2 BAT64-07 4 3 D1 D2 1 2 ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precaution! Type BAT64 BAT64-02V* BAT64-02W BAT64-04 BAT64-04W BAT64-05 BAT64-05W BAT64-06 BAT64-06W BAT64-07 Package SOT23 SC79 SCD80 SOT 23 SOT323 SOT23 SOT323 SOT23 SOT323 SOT143 Configuration single single single series series common cathode common cathode common anode common anode parallel pair LS(nH) 1.8 0.6 0.6 1.8 1.4 1.8 1.4 1.8 1.4 2 Marking 63s t 64 64s 64s 65s 65s 66s 66s 67s * Preliminary data 1 Mar-10-2004 BAT64... Maximum Ratings at TA = 25°C, unless otherwise specified Parameter Diode reverse voltage Forward current Non-repetitive peak surge forward current (t ≤ 10ms) Average forward current (50/60Hz, sinus) Total power dissipation BAT64, TS ≤ 86°C BAT64-02V, BAT64-02W, TS ≤ 121°C BAT64-04, BAT64-06, BAT64-07, T S ≤ 61°C BAT64-04W, BAT64-06W, TS ≤ 111°C BAT64-05, TS ≤ 36°C BAT64-05W, TS ≤ 104°C Junction temperature Storage temperature Thermal Resistance Parameter Junction - soldering point 1) BAT64 BAT64-02V, BAT64-02W BAT64-04, BAT64-06, BAT64-07 BAT64-04W, BAT64-06W BAT64-05 BAT64-05W 1For Symbol VR IF IFSM IFAV Ptot Value 40 250 800 120 Unit V mA mW 250 250 250 250 250 250 150 -55 ... 150 °C Tj Tstg Symbol RthJS Value ≤ 255 ≤ 115 ≤ 355 ≤ 155 ≤ 455 ≤ 185 Unit K/W calculation of RthJA please refer to Application Note Thermal Resistance 2 Mar-10-2004 BAT64... Electrical Characteristics at TA = 25°C, unless otherwise specified Parameter DC Characteristics Breakdown voltage I (BR) = 10 µA Reverse current VR = 30 V VR = 30 V, TA = 85 °C Forward voltage I F = 1 mA I F = 10 mA I F = 30 mA I F = 100 mA AC Characteristics Diode capacitance VR = 1 V, f = 1 MHz Reverse recovery time IF = 10 mA, IR = 10 mA, measured IR = 1 mA , RL = 100 Ω trr 5 ns CT 4 6 pF Symbol min. V(BR) IR VF 270 310 370 500 40 Values typ. max. - Unit V µA 320 385 440 570 2 200 mV 350 430 520 750 3 Mar-10-2004 BAT64... Diode capacitance CT = ƒ (VR) f = 1MHz 10 CT pF 8 7 6 5 4 3 2 1 0 0 10 20 V VR 30 10 -3 0 10 20 VR V 30 10 -2 10 -1 25 C 10 0 BAT 64... EHB00059 Reverse current IR = ƒ(VR) TA = Parameter BAT 64... EHB00058 ΙR 10 2 µA 10 1 TA = 125 C 85 C Forward current IF = ƒ (VF) TA = Parameter BAT 64... EHB00057 Forward current IF = ƒ (T S) BAT64W 300 ΙF 10 mA 2 mA 10 1 TA = -40 25 85 125 C C C C 200 IF 150 100 50 0 0 10 0 10 -1 10 -2 0 0.5 V VF 1 15 30 45 60 75 90 105 120 °C 150 TS 4 Mar-10-2004 BAT64... Forward current IF = ƒ (T S) BAT64-02V, BAT64-02W 300 Forward current IF = ƒ (T S) BAT64-04, BAT64-06, BAT64-07 300 mA mA 200 200 IF 150 IF 150 100 100 50 50 0 0 90 105 120 °C 0 0 15 30 45 60 75 150 15 30 45 60 75 90 105 120 °C 150 TS TS Forward current IF = ƒ (T S) BAT64-04W, BAT64-06W 300 Forward current IF = ƒ (T S) BAT64-05 300 mA mA 200 200 IF 150 IF 150 100 100 50 50 0 0 90 105 120 °C 0 0 15 30 45 60 75 150 15 30 45 60 75 90 105 120 °C 150 TS TS 5 Mar-10-2004 BAT64... Forward current IF = ƒ (T S) BAT64-05W 300 Permissible Puls Load R thJS = ƒ (tp) BAT64-02V, BAT64-02W 10 3 K/W mA 10 2 200 RthJS IF 150 10 1 100 10 0 50 D=0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 0.005 0 0 0 15 30 45 60 75 90 105 120 °C 150 10 -1 -6 10 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 s 10 0 TS tP Permissible Pulse Load IFmax / I FDC = ƒ (tp ) BAT64-02V, BAT64-02W 10 2 Permissible Puls Load R thJS = ƒ (tp) BAT64-04W, BAT64-06W 10 3 K/W IFmax/IFDC 10 2 10 1 D=0 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 RthJS 10 1 10 0 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 0.005 D=0 10 0 -6 10 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 s 10 0 10 -1 -6 10 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 s 10 0 tP tP 6 Mar-10-2004 BAT64... Permissible Pulse Load IFmax / I FDC = ƒ (tp ) BAT64-04W, BAT64-06W 10 2 10 3 K/W Permissible Puls Load R thJS = ƒ (tp) BAT64-05W I Fmax/IFDC - 10 2 10 1 D=0 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 R thJS 10 1 10 0 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 0.005 D=0 10 0 -6 10 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 s 10 0 10 -1 -6 10 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 s 10 0 tP tP Permissible Pulse Load IFmax / I FDC = ƒ (tp ) BAT64-05W 10 2 IFmax/IFDC - 10 1 D=0 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 10 0 -6 10 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 s 10 0 tp 7 Mar-10-2004

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BAT64-06

1. 物料型号： - BAT64 - BAT64-02V - BAT64-02W - BAT64-04 - BAT64-04W - BAT64-05 - BAT64-05W - BAT64-06 - BAT64-06W - BAT64-07

2. 器件简介： - 这些器件是肖特基整流二极管，用于低损耗、快速恢复、电表保护、偏置隔离和钳位应用。

3. 引脚分配： - BAT64：SOT23封装，单向，1.8nH，标记为63s。 - BAT64-02V：SC79封装，单向，0.6nH，标记为t。 - BAT64-02W：SCD80封装，单向，0.6nH，标记为64。 - BAT64-04：SOT23封装，串联，1.8nH，标记为64s。 - BAT64-04W：SOT323封装，串联，1.4nH，标记为64s。 - BAT64-05：SOT23封装，共阴极，1.8nH，标记为65s。 - BAT64-05W：SOT323封装，共阴极，1.4nH，标记为65s。 - BAT64-06：SOT23封装，共阳极，1.8nH，标记为66s。 - BAT64-06W：SOT323封装，共阳极，1.4nH，标记为66s。 - BAT64-07：SOT143封装，并联对，2nH，标记为67s。

4. 参数特性： - 最大整流二极管反向电压(VR)：40V - 最大正向电流(IF)：250mA - 非重复峰值浪涌正向电流(/FSM)：800mA（10ms） - 50/60Hz正弦波下的平均正向电流(IFAV)：120mA - 总功率耗散(Ptot)：不同型号在不同结温下为250mW - 结温(T)：150°C - 存储温度(Tstq)：-55°C至150°C

5. 功能详解和应用信息： - 这些肖特基二极管适用于低损耗、快速恢复的应用，如电表保护、偏置隔离和钳位应用。它们还集成了扩展的保护环，以提高性能。

6. 封装信息： - 提供了不同封装选项，如SOT23、SC79、SCD80、SOT323和SOT143，以满足不同的应用需求。

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