1. 物料型号:
- BBY66-02V
- BBY66-05
- BBY66-05W
2. 器件简介:
- 该器件是高电容比、高Q值超急剧变调谐二极管,低串联电阻,设计用于移动通信设备中VCO的低调谐电压操作,具有非常低的电容分散度,并且符合无铅(RoHS合规)封装,通过了AEC Q101认证。
3. 引脚分配:
- SC79、SOT23和SOT323封装均为单阳极(common cathode)配置。
4. 参数特性:
- 二极管反向电压VR:12V
- 正向电流IF:50mA
- 工作温度范围Top:-55至150°C
- 存储温度Tstg:-55至150°C
5. 功能详解:
- 在25°C时,反向电流IR在20至200nA之间,不同电压下的电容值(单位:皮法拉)如下:
- VR=1V, f=1MHz时,电容值为66至71.5pF
- VR=2V, f=1MHz时,电容值为33至38pF
- VR=4.5V, f=1MHz时,电容值为12至13.5pF
- 电容比(VR=1V, VR=4.5V)在5至5.41之间
- 系列电阻(VR = 1V, f=470MHz)在0.25至0.4欧姆之间
6. 应用信息:
- 设计用于移动通信设备中VCO的低调谐电压操作。
7. 封装信息:
- 提供SC79、SOT23和SOT323三种封装类型,具体尺寸和标记布局在文档中有详细描述。