BCR166

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BCR166 - PNP Silicon Digital Transistor - Infineon Technologies AG

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BCR166.../SEMB13 PNP Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1 = 4.7kΩ , R2 = 47kΩ ) BCR166/F/L3 BCR166T/W C 3 SEMB13 C1 6 B2 5 E2 4 R1 R1 R2 TR2 R1 R2 TR1 R2 1 B 2 E EHA07183 1 E1 2 B1 3 C2 EHA07173 Type BCR166 BCR166F BCR166L3 BCR166T BCR166W SEMB13 Marking WTs WTs WT WTs WTs WB 1=B 1=B 1=B 1=B 1=B Pin Configuration 2=E 2=E 2=E 2=E 2=E 3=C 3=C 3=C 3=C 3=C - Package SOT23 TSFP-3 TSLP-3-4 SC75 SOT323 1=E1 2=B1 3=C2 4=E2 5=B2 6=C1 SOT666 1 Jun-14-2004 BCR166.../SEMB13 Maximum Ratings Parameter Collector-emitter voltage Collector-base voltage Emitter-base voltage Input on voltage Collector current Total power dissipationBCR166, TS ≤ 102°C BCR166F, TS ≤ 128°C BCR166L3, TS ≤ 135°C BCR166T, TS ≤ 109°C BCR166W, TS ≤ 124°C SEMB13, T S ≤ 75°C Junction temperature Storage temperature Thermal Resistance Parameter Junction - soldering point 1) BCR166 BCR166F BCR166L3 BCR166T BCR166W SEMB13 1For calculation of R thJA please refer to Application Note Thermal Resistance Symbol VCEO VCBO VEBO Vi(on) IC Ptot Value 50 50 5 15 100 200 250 250 250 250 250 150 -65 ... 150 Value ≤ 240 ≤ 90 ≤ 60 ≤ 165 ≤ 105 ≤ 300 Unit V mA mW Tj Tstg Symbol RthJS °C Unit K/W 2 Jun-14-2004 BCR166.../SEMB13 Electrical Characteristics at TA = 25°C, unless otherwise specified Parameter Symbol Values Unit min. typ. max. DC Characteristics Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO 50 V IC = 100 µA, IB = 0 Collector-base breakdown voltage IC = 10 µA, IE = 0 V(BR)CBO I CBO I EBO h FE VCEsat Vi(off) Vi(on) R1 R1/R 2 50 70 0.4 0.5 3.2 0.09 - 4.7 0.1 160 3 100 155 0.3 0.8 1.4 6.2 0.11 kΩ Collector-base cutoff current VCB = 40 V, IE = 0 nA µA V Emitter-base cutoff current VEB = 5 V, IC = 0 DC current gain1) IC = 5 mA, VCE = 5 V Collector-emitter saturation voltage1) IC = 10 mA, IB = 0.5 mA Input off voltage IC = 100 µA, VCE = 5 V Input on voltage IC = 2 mA, VCE = 0.3 V Input resistor Resistor ratio AC Characteristics Transition frequency IC = 10 mA, VCE = 5 V, f = 100 MHz Collector-base capacitance VCB = 10 V, f = 1 MHz 1Pulse test: t < 300µs; D < 2% MHz pF fT Ccb 3 Jun-14-2004 BCR166.../SEMB13 DC current gain hFE = ƒ(IC) VCE = 5 V (common emitter configuration) 10 3 Collector-emitter saturation voltage VCEsat = ƒ(IC), hFE = 20 10 2 mA h FE 10 2 IC 10 1 10 1 10 0 -1 10 0 1 10 10 mA 10 2 10 0 0 0.2 0.4 0.6 V 1 IC VCEsat Input on Voltage Vi(on) = ƒ(I C) VCE = 0.3V (common emitter configuration) 10 2 Input off voltage V i(off) = ƒ(IC) VCE = 5V (common emitter configuration) 10 1 mA mA 10 0 10 1 IC IC 10 -1 10 0 10 -2 10 -1 -1 10 0 1 10 10 V 10 2 10 -3 0 0.2 0.4 0.6 V 1 Vi(on) Vi(off) 4 Jun-14-2004 BCR166.../SEMB13 Total power dissipation Ptot = ƒ(TS) BCR166 300 Total power dissipation Ptot = ƒ(TS) BCR166F 300 mW mW P tot 150 P tot 120 °C 200 200 150 100 100 50 50 0 0 20 40 60 80 100 150 0 0 20 40 60 80 100 120 °C 150 TS TS Total power dissipation Ptot = ƒ(TS) BCR166L3 300 Total power dissipation Ptot = ƒ(TS) BCR166T 300 mW mW Ptot 150 Ptot 120 °C 200 200 150 100 100 50 50 0 0 20 40 60 80 100 150 0 0 20 40 60 80 100 120 °C 150 TS TS 5 Jun-14-2004 BCR166.../SEMB13 Total power dissipation Ptot = ƒ(TS) BCR166W 300 Total power dissipation Ptot = ƒ(TS) SEMB13 300 mW mW P tot 150 P tot 120 °C 200 200 150 100 100 50 50 0 0 20 40 60 80 100 150 0 0 20 40 60 80 100 120 °C 150 TS TS Permissible Pulse Load RthJS = ƒ(tp ) BCR166 10 3 K/W Permissible Pulse Load Ptotmax/P totDC = ƒ(tp) BCR166 10 3 10 2 Ptotmax / PtotDC - 10 2 10 1 10 0 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 0.005 D=0 D=0 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 RthJS 10 1 10 -1 -6 10 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 s 10 0 10 0 -6 10 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 s 10 0 tp tp 6 Jun-14-2004 BCR166.../SEMB13 Permissible Puls Load RthJS = ƒ (tp) BCR166F 10 2 Permissible Pulse Load Ptotmax/P totDC = ƒ(tp) BCR166F 10 3 10 1 10 0 D=0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 0.005 0 P totmax/P totDC K/W RthJS 10 2 10 1 D=0 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 10 -1 -6 10 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 s 10 0 10 0 -6 10 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 s 10 0 tp tp Permissible Puls Load RthJS = ƒ (tp) BCR166L3 10 2 Permissible Pulse Load Ptotmax/P totDC = ƒ(tp) BCR166L3 10 3 Ptotmax/ PtotDC 10 1 10 2 10 0 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 0.005 D=0 D=0 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 RthJS 10 1 10 -1 -7 10 10 -6 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 s 10 0 10 0 -7 10 10 -6 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 s 10 0 tp tp 7 Jun-14-2004 BCR166.../SEMB13 Permissible Puls Load RthJS = ƒ (tp) BCR166T 10 3 K/W Permissible Pulse Load Ptotmax/P totDC = ƒ(tp) BCR166T 10 3 10 2 P totmax / P totDC 10 2 10 1 10 0 D=0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 0.005 0 10 1 D=0 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 RthJS 10 -1 -6 10 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 s 10 0 10 0 -6 10 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 s 10 0 tp tp Permissible Puls Load RthJS = ƒ (tp) BCR166W 10 3 K/W Permissible Pulse Load Ptotmax/P totDC = ƒ(tp) BCR166W 10 3 10 2 Ptotmax / PtotDC - 10 2 10 1 10 0 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 0.005 D=0 D=0 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 RthJS 10 1 10 -1 -6 10 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 s 10 0 10 0 -6 10 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 s 10 0 tp tp 8 Jun-14-2004 BCR166.../SEMB13 Permissible Puls Load RthJS = ƒ (tp) SEMB13 10 3 K/W Permissible Pulse Load Ptotmax/P totDC = ƒ(tp) SEMB13 10 3 10 2 P totmax/ P totDC RthJS 10 2 10 1 10 0 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 0.005 D=0 10 1 D=0 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 10 -1 -7 10 10 -6 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 s 10 0 10 0 -7 10 10 -6 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 s 10 0 tp tp 9 Jun-14-2004

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BCR166

### 物料型号 - BCR166：有多个变种，包括BCR166F、BCR166L3、BCR166T、BCR166W，以及SEMB13。

### 器件简介 - PNP Silicon Digital Transistor：PNP型硅数字晶体管，适用于开关电路、反相器、接口电路和驱动电路。

### 引脚分配 - BCR166：1=B（基极），2=E（发射极），3=C（集电极）。 - SEMB13：1=E1（发射极1），2=B1（基极1），3=C2（集电极2），4=E2（发射极2），5=B2（基极2），6=C1（集电极1）。

### 参数特性 - 最大额定值： - 集电极-发射极电压（VCEO）：50V - 集电极-基极电压（VCBO）：50V - 发射极-基极电压（VEBO）：5V - 集电极电流（Ic）：100mA - 总功率耗散： - BCR166（Ts ≥102°C）：200mW - BCR166F（Ts ≤ 128°C）：250mW - BCR166L3（Ts ≤ 135°C）：250mW - BCR166T（Ts≤ 109°C）：250mW - BCR166W（Ts ≤ 124°C）：250mW - SEMB13（Ts≤75°C）：250mW - 结温（Tj）：150°C - 存储温度（Tstg）：-65°C至150°C

- 热阻抗： - BCR166：≤240K/W - BCR166F：≤90K/W - BCR166L3：≤60K/W - BCR166T：≤165K/W - BCR166W：≤105K/W - SEMB13：≤300K/W

### 功能详解 - DC特性： - 集电极-发射极击穿电压（V(BR)CEO）：50V - 集电极-基极击穿电压（V(BR)CBO）：50V - 集电极-基极截止电流（ICBO）：100nA - 发射极-基极截止电流（IEBO）：1μA至155μA - DC电流增益（hFE）：70至1000 - 集电极-发射极饱和电压（VCEsat）：1V至0.3V - 输入关断电压（Vi(off)）：0.4V至0.8V - 输入导通电压（Vi(on)）：0.5V至1.4V - 输入电阻（R1）：3.2kΩ至6.2kΩ - 电阻比（R/R2）：0.09至0.11

- AC特性： - 转换频率（f）：160MHz - 集电极-基极电容（Ccb）：3pF

### 应用信息 - 适用于开关电路、反相器、接口电路和驱动电路。

### 封装信息 - BCR166：SOT23、TSFP-3、TSLP-3-4、SC75、SOT323 - SEMB13：SOT666

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