BCR189T

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INFINEON
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BCR189T - PNP Silicon Digital Transistor - Infineon Technologies AG

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BCR189T 数据手册

BCR189... PNP Silicon Digital Transistor • Switching circuit, inverter, interface circuit, driver circuit • Built in bias resistor (R1 = 22kΩ) BCR189/F/L3 BCR189T C 3 R1 1 B 2 E EHA07180 Type BCR189 BCR189F BCR189L3 BCR189T Marking W2s W2s W2 W2s 1=B 1=B 1=B 1=B 2=E 2=E 2=E 2=E Pin Configuration 3=C 3=C 3=C 3=C - Package SOT23 TSLP-3 TSLP-3-4 SC75 1 Aug-29-2003 BCR189... Maximum Ratings Parameter Collector-emitter voltage Collector-base voltage Emitter-base voltage Input on voltage Collector current Total power dissipationBCR189, TS ≤ 102°C BCR189F, TS ≤ 128°C BCR189L3, TS ≤ 135°C BCR189T, TS ≤ 109°C Junction temperature Storage temperature Thermal Resistance Parameter Junction - soldering point1) BCR189 BCR189F BCR189L3 BCR189T 1For calculation of R thJA please refer to Application Note Thermal Resistance Symbol VCEO VCBO VEBO Vi(on) IC Ptot Value 50 50 5 30 100 200 250 250 250 Unit V mA mW Tj Tstg Symbol RthJS 150 150 ... -65 Value ≤ 240 ≤ 90 ≤ 60 ≤ 165 °C Unit K/W 2 Aug-29-2003 BCR189... Electrical Characteristics at TA = 25°C, unless otherwise specified Parameter Symbol Values Unit min. typ. max. DC Characteristics Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO 50 V IC = 100 µA, IB = 0 Collector-base breakdown voltage IC = 10 µA, IE = 0 V(BR)CBO V(BR)EBO I CBO h FE VCEsat Vi(off) Vi(on) R1 50 5 120 0,4 0,5 15 - 22 200 3 100 630 0,3 0,8 1,1 29 kΩ Emitter-base breakdown voltage IE = 10 µA, IC = 0 Collector-base cutoff current VCB = 40 V, IE = 0 nA V DC current gain1) IC = 5 mA, VCE = 5 V Collector-emitter saturation voltage1) IC = 10 mA, IB = 0,5 mA Input off voltage IC = 100 µA, VCE = 5 V Input on voltage IC = 2 mA, VCE = 0,3 V Input resistor AC Characteristics Transition frequency IC = 10 mA, VCE = 5 V, f = 100 MHz fT Ccb MHz pF Collector-base capacitance VCB = 10 V, f = 1 MHz 1Pulse test: t < 300µs; D < 2% 3 Aug-29-2003 BCR189... DC current gain hFE = ƒ(IC) VCE = 5 V (common emitter configuration) 10 3 Collector-emitter saturation voltage VCEsat = ƒ(IC), hFE = 20 10 -1 A h FE 10 -2 10 2 IC 10 -3 10 1 -4 10 -3 -2 10 10 A 10 -1 10 -4 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 V 1 IC VCEsat Input on Voltage Vi(on) = ƒ(I C) VCE = 0.3V (common emitter configuration) 10 -1 Input off voltage V i(off) = ƒ(IC) VCE = 5V (common emitter configuration) 10 -2 A A 10 -3 10 -2 IC IC 10 -4 10 -3 10 -5 10 -4 -1 10 0 1 10 10 V 10 2 10 -6 0 0.5 1 1.5 2 V 3 Vi(on) Vi(off) 4 Aug-29-2003 BCR189... Total power dissipation Ptot = ƒ(TS) BCR189 300 Total power dissipation Ptot = ƒ(TS) BCR189F 300 mW mW P tot 150 P tot 120 °C 200 200 150 100 100 50 50 0 0 20 40 60 80 100 150 0 0 20 40 60 80 100 120 °C 150 TS TS Total power dissipation Ptot = ƒ(TS) BCR189L3 300 Total power dissipation Ptot = ƒ(TS) BCR189T 300 mW mW Ptot 150 Ptot 120 °C 200 200 150 100 100 50 50 0 0 20 40 60 80 100 150 0 0 20 40 60 80 100 120 °C 150 TS TS 5 Aug-29-2003 BCR189... Permissible Pulse Load RthJS = ƒ(tp ) BCR189 10 3 K/W Permissible Pulse Load Ptotmax/P totDC = ƒ(tp) BCR189 10 3 10 2 P totmax / P totDC - 10 2 10 1 10 0 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 0.005 D=0 D=0 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 RthJS 10 1 10 -1 -6 10 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 s 10 0 10 0 -6 10 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 s 10 0 tp tp Permissible Puls Load RthJS = ƒ (tp) BCR189F 10 2 Permissible Pulse Load Ptotmax/P totDC = ƒ(tp) BCR189F 10 3 10 1 10 0 D=0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 0.005 0 Ptotmax /PtotDC K/W RthJS 10 2 10 1 D=0 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 10 -1 -6 10 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 s 10 0 10 0 -6 10 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 s 10 0 tp tp 6 Aug-29-2003 BCR189... Permissible Puls Load RthJS = ƒ (tp) BCR189L3 10 2 Permissible Pulse Load Ptotmax/P totDC = ƒ(tp) BCR189L3 10 3 Ptotmax/ P totDC 10 1 10 2 10 0 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 0.005 D=0 D=0 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 RthJS 10 1 10 -1 -7 10 10 -6 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 s 10 0 10 0 -7 10 10 -6 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 s 10 0 tp tp Permissible Puls Load RthJS = ƒ (tp) BCR189T 10 3 K/W Permissible Pulse Load Ptotmax/P totDC = ƒ(tp) BCR189T 10 3 10 2 Ptotmax / PtotDC 10 2 10 1 10 0 D=0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 0.005 0 10 1 D=0 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 RthJS 10 -1 -6 10 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 s 10 0 10 0 -6 10 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 s 10 0 tp tp 7 Aug-29-2003

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BCR189T

1. 物料型号： - BCR189 - BCR189F - BCR189L3 - BCR189T

2. 器件简介： - BCR189是一种PNP型硅数字晶体管，适用于开关电路、反相器、接口电路和驱动电路，内部集成了偏置电阻（R1=22kΩ）。

3. 引脚分配： - BCR189：1=B（基极），2=E（发射极），3=C（集电极） - BCR189F：1=B（基极），2=E（发射极），3=C（集电极） - BCR189L3：1=B（基极），2=E（发射极），3=C（集电极） - BCR189T：1=B（基极），2=E（发射极），3=C（集电极）

4. 参数特性： - 最大额定值： - 集电极-发射极电压（VCEO）：50V - 集电极-基极电压（VCBO）：50V - 发射极-基极电压（VEBO）：5V - 输入导通电压（Vi(on)）：30V - 集电极电流（Ic）：100mA - 总功率耗散： - BCR189（Ts ≤ 102°C）：200mW - BCR189F（Ts ≤ 128°C）：250mW - BCR189L3（Ts ≤ 135°C）：250mW - BCR189T（Ts ≤ 109°C）：250mW - 结温（T）：150°C - 存储温度（Tstg）：150...-65°C - 热阻： - 结至焊接点（RthJS）： - BCR189：≤ 240 K/W - BCR189F：≤ 90 K/W - BCR189L3：≤ 60 K/W - BCR189T：≤ 165 K/W

5. 功能详解： - 该晶体管的直流特性包括集电极-发射极击穿电压、集电极-基极击穿电压、发射极-基极击穿电压、集电极-基极截止电流等。 - 交流特性包括过渡频率和集电极-基极电容。

6. 应用信息： - 适用于需要PNP型晶体管的开关电路、反相器、接口电路和驱动电路。

7. 封装信息： - BCR189：SOT23封装 - BCR189F：TSLP-3封装 - BCR189L3：TSLP-3-4封装 - BCR189T：SC75封装

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