### 物料型号
- 型号:BCV61
- 封装:SOT143
### 器件简介
BCV61是一款NPN硅双晶体管,具有以下特点:
- 可用作电流镜像。
- 良好的热耦合和VBE匹配。
- 高电流增益。
- 低集电极-发射极饱和电压。
- 无铅(符合RoHS标准)封装。
- 符合AEC Q101标准。
### 引脚分配
| 类型 | 标记 | 引脚配置 | 封装 |
| --- | --- | --- | --- |
| BCV61 | 1Js | 1=C2, 2=C1, 3=E1, 4=E2 | SOT143 |
| BCV61B | W 1Ks | 1=C2, 2=C1, 3=E1, 4=E2 | SOT143 |
| BCV61C | 1Ls | 1=C2, 2=C1, 3=E1, 4=E2 | SOT143 |
### 参数特性
- 最大额定值:
- 集电极-发射极电压(晶体管T1):30V
- 集电极-基极电压(开路发射极)(晶体管T1):30V
- 发射极-基极电压:6V
- DC集电极电流:100mA
- 峰值集电极电流:200mA
- 基极峰值电流(晶体管T1):200mA
- 总功耗散,Ts = 99°C:300mW
- 结温:150°C
- 存储温度:-65...150°C
### 功能详解
- 电气特性(在TA = 25°C,除非另有说明):
- 集电极-发射极击穿电压:30V
- 集电极-基极击穿电压:30V
- 发射极-基极击穿电压:6V
- 集电极截止电流:15nA
- DC电流增益:100至800,取决于型号
- 集电极-发射极饱和电压:90至600mV,取决于电流和型号
- 基极-发射极饱和电压:700至900mV
- 基极-发射极电压:580至770mV
### 应用信息
BCV61适用于需要高电流增益和良好热耦合的应用,如音频放大器、开关电源等。
### 封装信息
- 封装类型:SOT143
- 封装尺寸:符合RoHS标准的无铅封装。