1. 物料型号：
- 型号：BF772
2. 器件简介：
- BF772是一款NPN硅射频晶体管，主要用于电视卫星调谐器的应用。
3. 引脚分配：
- 引脚1：集电极(C)
- 引脚2：发射极(E)
- 引脚3：基极(B)
- 引脚4：发射极(E)
- 封装类型：SOT143
4. 参数特性：
- 最大额定值：
- 集电极-发射极电压(VCEO)：12V
- 集电极-发射极电压(VCES)：20V
- 集电极-基极电压(VCBO)：20V
- 发射极-基极电压(VEBO)：2V
- 集电极电流(IC)：80mA
- 基极电流(IB)：10mA
- 总功率耗散(Ptot)：580mW（在Ts=72°C时）
- 结温(T)：150°C
- 环境温度(TA)：-65°C至150°C
- 存储温度(Tstg)：-65°C至150°C
- 热阻(Rth-Is)：≤135°C/W（结到焊接点）
5. 功能详解：
- 直流特性：
- 集电极-发射极击穿电压(V(BR)CEO)：12V（在IC=1mA, IB=0时）
- 集电极-发射极截止电流(ICES)：100µA（在VCE=20V, VBE=0时）
- 集电极-基极截止电流(ICBO)：100nA（在VCB=10V, IE=0时）
- 发射极-基极截止电流(IEBO)：1µA（在VEB=1V, IC=0时）
- 直流电流增益(hFE)：50至200（在IC=30mA, VCE=8V时）
- 交流特性：
- 过渡频率(f)：6至8GHz（在I=50mA, VCE=8V时）
- 集电极-基极电容(Ccb)：0.6至0.9pF（在VcB=10V, f=1MHz时）
- 集电极-发射极电容(Cce)：0.25pF（在VCE=10V, f=1MHz时）
- 发射极-基极电容(Ceb)：1.8pF（在VEB=0.5V, f=1MHz时）
- 噪声系数(F)：1.3至2.1dB（在f=900MHz和f=1.8GHz时）
- 最大可用功率增益(Gma)：17.5至11.5（在c=30mA, VCE=8V, Zs=ZSp=Zpt, f=900MHz和f=1.8GHz时）
- 传感器增益：14.5至8.5（在f=900MHz和f=1.8GHz时）
6. 应用信息：
- BF772适用于电视卫星调谐器等射频应用。
7. 封装信息：
- 封装类型：SOT143
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