BSO080P03NS3EG

厂商：
INFINEON
封装：
描述：
BSO080P03NS3EG - OptiMOSTM3 P3-Power-Transistor - Infineon Technologies AG

数据手册：

下载BSO080P03NS3EG.pdf

立即购买

详情介绍
数据手册
价格&库存

BSO080P03NS3EG 数据手册

'$ % # ' "%&$!"# % % ( > ; ?6 @ > . ?< 7NJ\]ZN[ Q C? 8= ) 92 ? ? 6=? , ( :6 : Q * E2 =:65 2 44@ B :? 8 $ :7 5 )# b % > 1 A0@' A: : .> < E ) 9H ' 9H"\[#$ZNd ) =H . ) =H . $9 %+( 0&( ))&, ),&0 6 J ZW 7 B 2 B 6D AA= 2 D ? C @ D8 2 :4 :@ Q T @ A6B D 8 D > A6B D B 2 :? 6 2 E6 Q ) =H . C 64:2 = C :D 5 7 B @ D 3 @ @ < 2 AA= 2 D ? C A = E6 @ ? 6 I :4 :@ Q , AB D 4D 5 @6 6 Q ) 3 766 A=D 8 + @ " , 4@ > A= ? D B 2 :? :2 Q 2 AA= 2 D ? C 3 2 D B > 2 ? 2 86> 6? D =2 5 C :D9:? 8 :4 :@ DI 6 @ G4 Q " 2 =86? 766 2 44@ B :? 8 D # @ B 5 @ E=%9HD%0 DaYN ,( ) ' , ! AJLTJPN E=%9HD%0 >JZTRWP (0(E+CH; ! 2.1 322 > LR_ .9 42; 322 < > LR_ AJLTRWP ? @ ? 5B I " .D6 A: > @; 4? 2 D W T E? =C @ D 6B :C C 64:765 : .6 ( 6C 9 G 6 A : AJZJVN\NZ CaVKXU 4XWMR\RXW[ FJU]N ?20? @ ? D E@ EC 5B :? 4EB6? D :? 2 B )# $9 ) =H . ( 6 T ) =H . ( 6 T ) =H . ( 6 T ) =H . ( 6 T ) E=65 5B :? 4EB6? D C 2 B *# F =? 496 6? 6B I C? 8= AE=6 22 8:6 C !2 D C EB6 F = 86 6 @ 4 @D 2 ) @ G6B :C :A2 D ? )# 5 C :@ ( A6B D 8 2 ? 5 C @ B 86 D > A6B D B 2 :? D2 6 2 E6 , 4=C 2C , @ =6B 8 D > A6B D B 5 :? 6 2 E6 # 4= 2 D 42 D 8@ B #' # :> :4 6I $ 9$]aY_R # 6H ) =H % `\` ( W ( _`T $ , " & ( 6 T *& :? :> 2 =@ @ D B D 7 A :? . ]" C > :? :> 2 =@ @ D B D 7 A :? C 62 5I C 2 D D D6 4> * 4@ @ = 8 2 B 2 )# :? 6 . ]" C 4> * 4@ @ = 8 2 B 2 )# :? 6 C 62 5I C 2 D D D6 % % +- A'K ' `U@6 % % ))( % % )-( % % -( % % 0( 9 0@6 .905.> 0@ >?@0? 2 D W T E? =C @ D 6B :C C 64:765 2 >0 . 26 6 ( 6C 9 G 6 A : ' @ @0 05.> 0@ >?@0? .6 . 26 6 B :? C EB6 3 B 2 . 2 .6 2 $ 94S") 9H ( 6 T A2 B > 6D B . ] 2 6 ('* *# " .D @.; ?6 ; @@ 2> .96 =21 .; 02 > 2 5: : * `U@64S". ]#*# A2 B > 6D B " 4. ]'( 2 6 (') " 4( (' ) = :D 5 3 I @ ? C 2 D :> 6 D6 ^R_V_`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g5*g$ 9g' 9H"\[#ZNd ) A2 B > 6D B ( W 2 6 -' ( E= 3 > .> @.; ?0 6D B ( W"_`N^`# 2 6 ('' ( E= 4.@ 05.> 2 2 4 ) =H4S"& TN`R $ 9 AE=65 C A2 B > 6D B ) 99 2 6 (' 0 . . / . - . (' T T T " 2F , * ' 8C , ( '%( ( (' ('' (''' , + * ) ( ' ' )' +' -' /' * 2F , ?I $ PJ\N , ; > 6 ? 2 / > .8 2 C .B23 > ? 2 4

下载 PDF

BSO080P03NS3EG

1. 物料型号： - 型号：BSO080P03NS3E G

2. 器件简介： - OptiMos™ 3 P-Channel in SO8封装的单P沟道功率晶体管，适用于150°C工作温度，符合JEDEC标准，适用于目标应用。

3. 引脚分配： - 封装类型：PG-DSO-8

4. 参数特性： - 漏源电压（VDs）：-30V - 导通电阻（Rds(on)）：在VGs=10V时最大为8.0mΩ，在VGs=6V时为11.4mΩ - 漏极电流（Id）：14.8A - 栅源电压（VGs）：+25V特别适合笔记本应用 - ESD保护：是 - 无铅镀层：符合RoHS标准

5. 功能详解： - 该器件为P沟道功率MOSFET，具有低导通电阻和高耐压特性，适用于需要高效率和高密度集成的电源管理应用。

6. 应用信息： - 适用于需要高效率和高密度集成的电源管理应用，如笔记本电脑等。

7. 封装信息： - 标记：080P3NSE - 无卤素：是 - 无铅：是 - 包装：非干燥

BSO080P03NS3EG 价格&库存

-> 查询更多价格&库存

很抱歉，暂时无法提供与“BSO080P03NS3EG”相匹配的价格&库存，您可以联系我们找货