BSP320S_08

厂商：
INFINEON
封装：
描述：
BSP320S_08 - SIPMOS Small-Signal-Transistor - Infineon Technologies AG

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BSP320S_08 数据手册

BSP320S Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to AEC Q101 Tape and Reel PG-SOT223 L6327: 1000pcs/r PG-SOT223 L6433: 4000pcs/r Packaging Non dry 1 PIN Non dry Rev 2.3 2008-03-26 BSP320S Rev 2.3 2008-03-26 BSP320S Rev 2.3 2008-03-26 BSP320S Rev 2.3 2008-03-26 BSP320S Rev 2.3 2008-03-26 BSP320S Rev 2.3 2008-03-26 BSP320S Rev 2.3 2008-03-26 BSP320S Rev 2.3 2008-03-26 BSP320S Rev 2.3 9 2008-03-26

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BSP320S_08

物料型号： - 型号为BSP320S。

器件简介： - BSP320S是一款N沟道增强型功率MOSFET，具有雪崩额定和dv/dt额定特性，无铅引脚镀层，符合RoHS标准，并通过AEC Q101认证。

引脚分配： - PG-SOT223封装，引脚1为非干燥、非干燥、非干燥。

参数特性： - 漏源电压(VDs)：60V - 漏源导通电阻(RDs(on))：0.12Ω至2Ω - 连续漏极电流(b)：2.9A

功能详解： - 该器件适用于需要N沟道增强型功率MOSFET的应用，具有较高的耐压和导通电阻特性，适用于高效率的电源管理。

应用信息： - 适用于需要高效率、高耐压和低导通电阻的应用，如电源管理、电机控制等。

封装信息： - 封装类型为PG-SOT223，有两种包装方式：L6327（每卷1000pcs）和L6433（每卷4000pcs）。

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