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BSP324_09

BSP324_09

  • 厂商:

    INFINEON

  • 封装:

  • 描述:

    BSP324_09 - SIPMOS Power-Transistor - Infineon Technologies AG

  • 详情介绍
  • 数据手册
  • 价格&库存
BSP324_09 数据手册
Rev. 2.1 BSP324 Feature SIPMOS  Power-Transistor Product Summary VDS RDS(on) ID 400 25 0.17 SOT-223 • N-Channel • Enhancement mode • Logic Level • dv/dt rated • Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to AEC Q101 V Ω A Type BSP324 Package PG-SOT223 Pb-free Packaging Yes Non dry Tape and Reel Information Marking L6327: 1000 pcs/reel BSP324 Maximum Ratings, at Tj = 25 °C, unless otherwise specified Symbol Parameter Continuous drain current TA=25°C TA=70°C Value 0.17 0.14 0.68 6 ±20 1A (>250V,
BSP324_09
1. 物料型号: - 型号为BSP324。

2. 器件简介: - BSP324是一个N-Channel增强型逻辑电平SIPMOS Power-Transistor,具有dv/dt额定值,采用无铅引脚镀层,符合RoHS标准。

3. 引脚分配: - 该器件封装为SOT-223,根据AEC Q101标准认证。

4. 参数特性: - 最大连续漏极电流(D):0.17A(TA=25°C),0.14A(TA=70°C)。 - 脉冲漏极电流(ID puls):0.68A(TA=25°C)。 - 栅源电压(VGs):±20V。 - ESD等级(JESD22-A114-HBM):1A(>250V, <500V)。 - 功率耗散(Ptot):1.8W(TA=25°C)。 - 工作和存储温度(Tj,Tstq):-55...+150°C。

5. 功能详解: - 该器件具有低导通电阻和高dv/dt额定值,适用于需要高效率和快速开关的应用。

6. 应用信息: - 适用于多种电源管理应用,如开关电源、马达控制和照明控制等。

7. 封装信息: - 封装类型为PG-SOT223,采用无铅封装,符合胶带和卷轴信息L6327:1000 pcs/reel的包装标准。
BSP324_09 价格&库存

很抱歉,暂时无法提供与“BSP324_09”相匹配的价格&库存,您可以联系我们找货

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