1. 物料型号:
- 型号为BUZ30AH3045A。
2. 器件简介:
- 该器件为英飞凌(Infineon)生产的SIPMOS Power Transistor,是一个N通道、雪崩额定的功率MOSFET,无铅引脚镀层,符合RoHS标准。
3. 引脚分配:
- Pin 1: G(栅极)
- Pin 3: S(源极)
4. 参数特性:
- 最大额定值:
- 连续漏极电流:21A
- 脉冲漏极电流:84A
- 雪崩电流:21A
- 雪崩能量(周期性限制):12mJ
- 雪崩能量(单脉冲):450mJ
- 栅源电压:±20V
- 总功耗:125W
- 工作温度:-55...+150°C
- 存储温度:-55...+150°C
- 芯片到外壳的热阻:≤1 K/W
- 芯片到环境的热阻:75 K/W
- 静态特性:
- 漏源击穿电压:25V
- 栅源阈值电压:2.1...4V
- 零栅源电压漏极电流:0.1...100µA
- 栅源漏电流:10...100nA
- 漏源导通电阻:0.1...0.13Ω
- 动态特性:
- 跨导:6...15S
- 输入电容:1400...1900pF
- 反向传输电容:130...200pF
- 上升时间:4...110ns
- 下降时间:90...120ns
5. 功能详解:
- 该器件为一个N通道功率MOSFET,具有低导通电阻和高雪崩能量能力,适用于需要高能效和高可靠性的应用场合。
6. 应用信息:
- 适用于需要高能效和高可靠性的应用场合,如电源、电机驱动等。
7. 封装信息:
- 封装类型为PG-TO263-3,这是一种塑料封装,适用于高功率应用。