SFH4200

Schnelle GaAs-IR-Lumineszenzdiode (950 nm) High-Speed GaAs Infrared Emitter (950 nm) SFH 4200 SFH 4205 SFH 4200 SFH 4205 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Gleichstrom- (mit Modulation) oder Impulsbetrieb möglich • Hohe Zuverlässigkeit • Hohe Impulsbelastbarkeit • Sehr kurze Schaltzeiten (10 ns) • Für Oberflächenmontage geeignet • Gegurtet lieferbar • SFH 4200 Gehäusegleich mit SFH 320 SFH 4205 Gehäusegleich mit SFH 325 • SFH 4205: Nur für IR-Reflow-Lötung geeignet. Features • Very highly efficient GaAs-LED • DC (with modulation) or pulsed operations are possible • High reliability • High pulse handling capability • Very short switching times (10 ns) • Suitable for surface mounting (SMT) • Available on tape and reel • SFH 4200 same package as SFH 320 SFH 4205 same package as SFH 325 • SFH 4205: Suitable only for IR-reflow soldering. Applications • High data transmission rate up to 100 Mbaud (IR keyboard, Joystick, Multimedia) • Analog and digital Hi-Fi audio and video signal transmission • Low power consumption (battery) equipment • Suitable for professional and high-reliability applications • Alarm and safety equipment • IR free air transmission Anwendungen • Schnelle Datenübertragung mit Übertragungsraten bis 100 Mbaud (IR Tastatur, Joystick, Multimedia) • Analoge und digitale Hi-Fi Audio- und Videosignalübertragung • Batteriebetriebene Geräte (geringe Stromaufnahme) • Anwendungen mit hohen Zuverlässigkeitsansprüchen bzw. erhöhten Anforderungen • Alarm- und Sicherungssysteme • IR Freiraumübertragung 2000-01-01 1 OPTO SEMICONDUCTORS SFH 4200, SFH 4205 Typ Type Bestellnummer Ordering Code Gehäuse Package Kathodenkennzeichnung: abgesetzte Ecke Cathode marking: bevelled edge TOPLED® SIDELED SFH 4200 SFH 4205 Q62702-P978 Q62702-P5165 Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Durchlaßstrom Forward current Stoßstrom, tp = 10 µs, D = 0 Surge current Verlustleistung Power dissipation Symbol Symbol Wert Value – 40 … + 100 3 100 1 180 450 Einheit Unit °C V mA A mW K/W Top; Tstg VR IF (DC) IFSM Ptot Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung bei RthJA Montage auf FR4 Platine, Padgröße je 16 mm2 Thermal resistance junction - ambient mounted on PC-board (FR4), padsize 16 mm2 each Wärmewiderstand Sperrschicht - Lötstelle bei RthJS Montage auf Metall-Block Thermal resistance junction - soldering point, mounted on metal block 200 K/W 2000-01-01 2 OPTO SEMICONDUCTORS SFH 4200, SFH 4205 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Parameter Wellenlänge der Strahlung Wavelength at peak emission IF = 100 mA, tp = 20 ms Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax Spectral bandwidth at 50% of Imax IF = 100 mA, tp = 20 ms Abstrahlwinkel Half angle Aktive Chipfläche Active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche Dimensions of the active chip area Symbol Symbol λpeak Wert Value 950 Einheit Unit nm ∆λ 40 nm ϕ ± 60 0.09 0.3 × 0.3 10 Grad deg. mm2 mm ns A L×B L×W Schaltzeiten, Ie von 10% auf 90% und von 90% tr, tf auf 10%, bei IF = 100 mA, tp = 20 ms, RL = 50 Ω Switching times, Ιe from 10% to 90% and from 90% to10%, IF = 100 mA, tp = 20 ms, RL = 50 Ω Durchlaßspannung, Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 µs Sperrstrom, Reverse current VR = 3 V Gesamtstrahlungsfluß, Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe, VF VF IR 1.5 (≤ 1.8) 3.2 (≤ 3.6) 0.01 (≤ 10) V V µA Φe 28 mW TCI – 0.44 %/K IF = 100 mA Temperature coefficient of Ie or Φe, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von VF, IF = 100 mA Temperature coefficient of VF, IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von λ, IF = 100 mA Temperature coefficient of λ, IF = 100 mA TCV TCλ – 1.5 + 0.2 mV/K nm/K 2000-01-01 3 OPTO SEMICONDUCTORS SFH 4200, SFH 4205 Strahlstärke Ie in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel Ω = 0.01 sr Radiant Intensity Ie in Axial Direction at a solid angle of Ω = 0.01 sr Bezeichnung Parameter Strahlstärke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms Strahlstärke Radiant intensity IF = 1 A, tp = 100 µs Symbol Ie min. Ie typ. Ie typ. Werte Values 4 8.5 55 Einheit Unit mW/sr mW/sr mW/sr 2000-01-01 4 OPTO SEMICONDUCTORS SFH 4200, SFH 4205 Relative Spectral Emission Irel = f (λ) 100 OHF00777 Radiant Intensity Ie = f (IF) Ie 100 mA OHF00809 Single pulse, tp = 20 µs 10 2 Ιe Ι e (100 mA) Forward Current IF = f (VF) single pulse, tp = 20 µs 10 4 mA 10 3 10 2 OHF00784 Ι rel 80 ΙF 60 10 0 10 1 10 0 10 -1 40 10 -1 20 10 -2 10 -2 0 800 850 900 950 1000 nm 1100 10 -3 10 0 10 1 10 2 λ 10 3 mA 10 4 ΙF 10 -3 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 V 4.5 VF Max. Permissible Forward Current IF = f (TA), RthJA1) 120 OHF00359 Radiation Characteristics Irel = f (ϕ) 40˚ 30˚ 20˚ 10˚ 0˚ OHL01660 Ι F mA 100 50˚ ϕ 1.0 0.8 80 R thJA = 450 K/W 60 0.6 60˚ 0.4 70˚ 40 80˚ 0.2 20 90˚ 0 0 0 20 40 60 80 100 ˚C 120 TA 100˚ 1.0 0.8 0.6 0.4 0˚ 20˚ 40˚ 60˚ 80˚ 100˚ 120˚ 1) Thermal resistance junction ambient mounted on PC-board (FR4), pad size 16 mm2 (each). 5 OPTO SEMICONDUCTORS 2000-01-01 SFH 4200, SFH 4205 Maßzeichnung Package Outlines SFH 4200 3.0 2.6 2.3 2.1 2.1 1.7 0.1 (typ) 4˚±1 0.9 0.7 (2.4) 3.4 3.0 1.1 0.5 3.7 3.3 Cathode marking 0.18 0.12 0.6 0.4 GPL06724 SFH 4205 (2.4) 2.8 2.4 4.2 3.8 0.7 Cathode Cathode marking 2.54 spacing (1.4) 1.1 0.9 Anode (2.85) (0.3) 3.8 3.4 (2.9) (R1) 4.2 3.8 GPL06880 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben / Dimensions in mm, unless otherwise specified. 2000-01-01 6 OPTO SEMICONDUCTORS SFH 4200, SFH 4205 Löthinweise Soldering Conditions Bauform Types Tauch-, Schwall- und Schlepplötung Dip, Wave and Drag Soldering Lötbadtemperatur Reflowlötung Reflow Soldering Maximale Durchlaufzeit Max. Transit Time 10 s 10 s Maximal zulässige LötzonenLötzeit temperatur Temperature of Soldering Zone 245 °C 245 °C Temperature of Max. Perm. the Soldering Bath Soldering Time TOPLED SIDELED 260 °C – 10 s – Zusätzliche Informationen über allgemeine Lötbedingungen erhalten Sie auf Anfrage. For additional information on general soldering conditions please contact us. 2000-01-01 7 OPTO SEMICONDUCTORS