SFH4301

Schnelle IR-Lumineszenzdiode (950 nm) im 3 mm Radial-Gehäuse High-Speed Infrared Emitter (950 nm) in 3 mm Radial Package SFH 4301 Wesentliche Merkmale • Hohe Pulsleistung und hoher Gesamtstrahlungsfluß Φe • Sehr kurze Schaltzeiten (10 ns) • Sehr hohe Langzeitstabilität • Hohe Zuverlässigkeit Anwendungen • Schnelle Datenübertragung mit Übertragungsraten bis 100 Mbaud (IR Tastatur, Joystick, Multimedia) • Analoge und digitale Hi-Fi Audio- und Videosignalübertragung • Batteriebetriebene Geräte (geringe Stromaufnahme) • Anwendungen mit hohen Zuverlässigkeits-ansprüchen bzw. erhöhten Anforderungen • Alarm- und Sicherungssysteme • IR Freiraumübertragung Features • • • • High pulse power and high radiant flux Φe Very short switching times (10 ns) Very high long-time stability High reliability Applications • High data transmission rate up to 100 Mbaud (IR keyboard, Joystick, Multimedia) • Analog and digital Hi-Fi audio and video signal transmission • Low power consumption (battery) equipment • Suitable for professional and high-reliability applications • Alarm and safety equipment • IR free air transmission Typ Type SFH 4301 Bestellnummer Ordering Code Q62702-P5166 Gehäuse Package 3-mm-LED-Gehäuse (T1), schwarz eingefärbt, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster (1/10’’), Kathodenkennung: längerer Anschluß 3 mm LED package (T1), black-colored epoxy resin, solder tabs lead spacing 2.54 mm (1/10’’), cathode marking: long lead 2000-01-01 1 OPTO SEMICONDUCTORS SFH 4301 Grenzwerte (TA = 25 °C) Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Sperrspannung Reverse voltage Durchlaßstrom Forward current Stoßstrom Surge current tp = 10 µs, D = 0 Verlustleistung Power dissipation Wärmewiderstand Sperrschicht - Umgebung, freie Beinchenlänge max. 10 mm Thermal resistance junction - ambient, lead length between package bottom and PCB max. 10 mm Symbol Symbol Wert Value – 40 … + 100 3 100 1 Einheit Unit °C V mA A Top; Tstg VR IF (DC) IFSM Ptot RthJA 180 375 mW K/W 2000-01-01 2 OPTO SEMICONDUCTORS SFH 4301 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Parameter Wellenlänge der Strahlung Wavelength of peak emission IF = 100 mA, tp = 20 ms Spektrale Bandbreite bei 50% von Imax Spectral bandwidth at 50% of Imax IF = 100 mA, tp = 20 ms Abstrahlwinkel Half angle Aktive Chipfläche Active chip area Abmessungen der aktiven Chipfläche Dimension of the active chip area Schaltzeiten, Ie von 10% auf 90% und von 90% auf 10% Switching times, Ie from 10% to 90% and from 90% to10%, IF = 100 mA, tP = 20 ms, RL = 50 Ω Kapazität Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Durchlaβspannung Forward voltage IF = 100 mA, tp = 20 ms IF = 1 A, tp = 100 µs Sperrstrom Reverse current VR = 3 V Gesamtstrahlungsfluß Total radiant flux IF = 100 mA, tp = 20 ms Temperaturkoeffizient von Ie bzw. Φe Temperature coefficient of Ie or Φe IF = 100 mA Symbol Symbol λpeak Wert Value 950 Einheit Unit nm ∆λ 40 nm ϕ ± 10 0.09 0.3 × 0.3 10 Grad deg. mm2 mm ns A L×B L×W tr, tf Co 35 pF VF VF 1.5 (≤ 1.8) 3.2 (≤ 3.6) 0.01 (≤ 10) V V µA IR Φe 32 mW TCI – 0.44 %/K 2000-01-01 3 OPTO SEMICONDUCTORS SFH 4301 Kennwerte (TA = 25 °C) (cont’d) Characteristics Bezeichnung Parameter Temperaturkoeffizient von VF Temperature coefficient of VF IF = 100 mA Temperaturkoeffizient von λ Temperature coefficient of λ IF = 100 mA Symbol Symbol TCV Wert Value – 1.5 Einheit Unit mV/K TCλ + 0.2 nm/K Strahlstärke Ιe in Achsrichtung gemessen bei einem Raumwinkel von Ω = 0.01 sr Radiant Intensity Ιe in Axial Direction measured at a solid angle of Ω = 0.01 sr Bezeichnung Parameter Strahlstärke Radiant intensity IF = 100 mA, tp = 20 ms Strahlstärke Radiant intensity IF = 1 A, tp = 100 µs Symbol Symbol Ie min Ie typ Ie typ Wert Value 16 60 400 Einheit Unit mW/sr mW/sr mW/sr Lötbedingungen Soldering Conditions Tauch-, Schwall- und Schlepplötung Dip, wave and drag soldering Lötpadtemperatur Maximal zulässige Lötzeit Abstand Lötstelle – Gehäuse Kolbenlötung (mit 1,5-mm-Kolbenspitze) Iron soldering (with 1.5-mm-bit) Temperatur des Kolbens Maximale zulässige Lötzeit Max. permissible soldering time 3s Abstand Lötstelle – Gehäuse Distance between solder joint and case Temperature of the soldering bath 260 °C Max. perm. Distance soldering time between solder joint and case 10 s Temperature of the soldering iron 300 °C ≥ 1.5 mm ≥ 1.5 mm 2000-01-01 4 OPTO SEMICONDUCTORS SFH 4301 Relative Spectral Emission Ierel = f (λ) 100 OHF00777 Radiant Intensity Ιe/Ιe (100 mA) = f (IF) Single pulse, tp = 20 µs 10 2 Ιe Ι e (100 mA) OHF00809 Max. Permissible Forward Current IF = f (TA) 120 OHF00359 Ι erel 80 Ι F mA 100 80 60 10 0 60 R thJA = 375 K/W 40 10 -1 40 20 10 -2 20 0 800 850 900 950 1000 nm 1100 λ 10 -3 10 0 10 1 10 2 10 3 mA 10 4 ΙF 0 0 20 40 60 80 100 ˚C 120 TA Forward Current IF = f (VF) single pulse, tp = 20 µs ΙF 10 4 mA 10 3 10 2 10 1 10 0 10 -1 10 -2 10 -3 OHF00784 Ierel = f (ϕ) 40˚ Radiation Characteristic 30˚ 20˚ 10˚ 0˚ OHF01016 ϕ 1.0 50˚ 0.8 0.6 60˚ 0.4 70˚ 0.2 80˚ 90˚ 100˚ 1.0 0.8 0.6 0.4 0˚ 20˚ 40˚ 60˚ 80˚ 100˚ 120˚ 0 0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 V 4.5 VF 2000-01-01 5 OPTO SEMICONDUCTORS SFH 4301 Maßzeichnung Package Outlines Area not flat 0.6 0.4 5.2 4.5 4.1 3.9 2.54 mm spacing 4.0 3.6 0.7 0.4 0.8 0.4 1.8 1.2 (3.5) 29 27 6.3 5.9 ø3.1 ø2.9 0.6 0.4 Chip position Cathode (SFH 409, SFH 4332) Anode (SFH 487, SFH 4301) GEX06250 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben / Dimensions in mm, unless otherwise specified. 2000-01-01 6 OPTO SEMICONDUCTORS