SIGC100T60R3

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INFINEON
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描述：
SIGC100T60R3 - 600V Trench & Field Stop technology positive temperature coefficient - Infineon Techn...

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SIGC100T60R3 IGBT Chip Features: • 600V Trench & Field Stop technology • low VCE(sat) • low turn-off losses • short tail current • positive temperature coefficient • easy paralleling This chip is used for: • power module Applications: • drives 3 C G E Chip Type SIGC100T60R3 VCE 600V IC 200A Die Size 9.73 x 10.23 mm2 Package sawn on foil Mechanical Parameter Raster size Emitter pad size (incl. gate pad) Gate pad size Area total Thickness Wafer size Max.possible chips per wafer Passivation frontside Pad metal Backside metal Die bond Wire bond Reject ink dot size Recommended storage environment 9.73 x 10.23 ( 4.256 x 1.938 ) x 4 ( 4.256 x 2.356 ) x 4 1.615 x 0.817 99.5 70 150 126 Photoimide 3200 nm AlSiCu Ni Ag –system suitable for epoxy and soft solder die bonding Electrically conductive glue or solder Al,

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SIGC100T60R3

### 物料型号 - 型号：SIGC100T60R3

### 器件简介 - 特点：600V沟槽和场截止技术，低VCE(sat)，低关断损耗，短尾电流，正温度系数，易于并联。 - 用途：用于功率模块，应用在驱动领域。

### 引脚分配 - 芯片类型：SIGC100T60R3 - VCE：600V - Ic：200A - 芯片尺寸：9.73 x 10.23 mm² - 封装：sawn on foil（铜箔上切割）

### 参数特性 - 最大额定值： - 集电极-发射极电压：600V - DC集电极电流：受限于Ty max - 脉冲集电极电流：600A - 栅极-发射极电压：+20V - 结温范围：-40...+175°C - 工作结温：-40...+150°C - 短路数据：6s - 反向偏置安全工作区（RBSOA）：Ic.max = 400A, VcE.max = 600V T ≤150°C

- 静态特性（在晶圆上测试，Tvj=25°C）： - 集电极-发射极击穿电压：600V - 集电极-发射极饱和电压：1.05V（最小值）至1.85V（最大值） - 栅极-发射极阈值电压：5.0V（最小值）至6.5V（最大值） - 零栅极电压集电极电流：10.1A - 栅极-发射极漏电流：600nA

- 动态特性（不进行生产测试，通过设计/特性验证，Tvj=25°C）： - 输入电容：12335pF - 输出电容：769pF - 反向传输电容：366pF

### 功能详解 - 开关特性和热特性：强烈依赖于模块设计和安装技术，因此对于裸片无法指定。

### 应用信息 - 应用：驱动领域。

### 封装信息 - 机械参数： - 栅格尺寸：9.73x10.23 mm - 发射极垫尺寸（包括栅极垫）：(4.256x 1.938)x4 4.256x2.356)x4 mm² - 栅极垫尺寸：1.615x0.817 mm - 总面积：99.5 mm² - 厚度：70 µm - 晶圆尺寸：150 mm - 每晶圆最大可能芯片数：126 - 前面钝化：光敏树脂 - 垫金属：3200 nm AISiCu - 背面金属：Ni Ag系统，适用于环氧树脂和软钎料芯片键合 - 芯片键合：电导胶或钎料 - 线键合：Al, <500 µm - 废品墨水点尺寸：0.65mm; 最大1.2mm - 推荐存储环境：存放在原始容器中，在干燥氮气中，在黑暗环境中，< 6个月在23°C的环境温度下。

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