SIGC25T120CL

厂商：
INFINEON
封装：
描述：
SIGC25T120CL - IGBT Chip in NPT-technology - Infineon Technologies AG

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SIGC25T120CL IGBT Chip in NPT-technology FEATURES: • 1200V NPT technology 180µm chip • low turn-off losses • short tail current • positive temperature coefficient • easy paralleling This chip is used for: • power module BSM15GD120DLC E3224 Applications: • drives C G E Chip Type SIGC25T120CL VCE 1200V ICn 15A Die Size 5.71 x 4.53 mm2 Package sawn on foil Ordering Code Q67041A4704-A003 MECHANICAL PARAMETER: Raster size Emitter pad size Gate pad size Area total / active Thickness Wafer size Flat position Max.possible chips per wafer Passivation frontside Emitter metallization Collector metallization Die bond Wire bond Reject Ink Dot Size Recommended Storage Environment 5.71 x 4.53 2 x ( 2.18 x 1.6 ) 1.09 x 0.68 25.9 / 18.7 180 150 270 555 pcs Photoimide 3200 nm Al Si 1% 1400 nm Ni Ag –system suitable for epoxy and soft solder die bonding electrically conductive glue or solder Al,

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SIGC25T120CL

1. 物料型号： - 型号名称：SIGC25T120CL - 电压等级：1200V - 电流等级：15A - 芯片尺寸：5.71mm x 4.53mm - 封装代码：A4704-A003 Q67041-

2. 器件简介： - SIGC25T120CL是一款采用NPT技术（非穿透型）的IGBT芯片，具有1200V的耐压和15A的电流承受能力。它具有180微米厚的芯片，低关断损耗，短尾电流，正温度系数，易于并联使用。

3. 引脚分配： - 发射极焊盘尺寸：2 x (2.18mm x 1.6mm) - 门极焊盘尺寸：1.09mm x 0.68mm - 总面积/活性面积：25.9mm² / 18.7mm² - 芯片厚度：180微米

4. 参数特性： - SIGC25T120CL具有以下特性：1200V NPT技术、180微米芯片、低关断损耗、短尾电流、正温度系数、易于并联。

5. 功能详解： - 该芯片用于功率模块BSM15GD120DLC E3224，适用于驱动应用。

6. 应用信息： - 主要应用在驱动领域。

7. 封装信息： - 封装类型：ECONO 2 - 芯片图纸显示尺寸为4530um x 5710um。

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